115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#143699

科目：電子學 | 年份：115年 | 選擇題數：0 | 申論題數：18

所屬科目：電子學

(一)判斷 D₁及 D₂的導通狀態。（5 分）

(二) VO =？（5 分）

(三) I_D1 =？（5 分）

(四) I_D2=？（5 分）

(一)請證明 BJT 操作在飽和區，並計算β_forced =？（8 分）

(二) V_C=？（4 分）

(三)若使 BJT 操作在飽和區的邊界，則 R_B=？（8 分）

(一) I_E =？（5 分）

(二) BJT 小信號模型參數 r_e=？（5 分）

(三) R_in =？（5 分）

(四) A_v = v_o/v_sig=？（5 分）

(一) Q₁所需的通道寬度（channel width）W₁ =？（8 分）

(二) Q₂ 所需的通道寬度（channel width）W₂ =？（8 分）

(三)欲得到如圖四所標示的電壓、電流，則電阻 R =？（4 分）

(一)差模增益 A_d =？（5 分）

(二)差模輸入電阻？（5 分）

(三)若 R_C的誤差為±1%，則共模增益 A_cm=？（5 分）

(四)共模拒斥比 CMRR =？（5 分）