115年 - 115 高等考試_三級_化學工程：材料化學（包括有機化學、無機化學）#141869

(一) IR 官能基判斷。（6 分）

(二) ¹H NMR 化學位移、積分與裂分解析。（8 分）

(三) MS 資料與碎片判斷。（4 分）

(四)合理結構建立與整合說明。（7 分）

(一)以 benzene 為起始物，設計合成 p-bromoacetanilide 之完整合成路徑， 並寫出各步驟所需試劑及主要中間產物。（15 分）

(二)請說明上述合成路徑中，為何需先將 aniline 轉化為 acetanilide 後再進行溴化反應？並說明此步驟對反應選擇性及避免副產物生成之影響。 （10 分）

(一)分別判斷兩錯離子中 Co 的氧化態與 d 電子數。（4 分）

(二)依據配位化合物場理論，以八面體場中 t_2g 與 e_g 軌域之能階分裂，說明兩錯離子之 d 電子排列。（8 分）

(三)說明兩錯離子，何者為高自旋錯合物？何者為低自旋錯合物？並比較其 Δ_o 大小。（6 分）

(四)判斷兩錯離子之未成對電子數，並說明其磁性差異。（7 分）

四、以分子軌域理論說明硼分子（B2）之電子填入方式，並寫出其分子軌域電子組態。作答時須說明 B₂ 分子中價電子數目、適用於 B₂ 之分子軌域能階順序、電子如何依 Aufbau principle、Hund’s rule 及 Pauli exclusion principle 填入分子軌域，並據此計算其鍵級（bond order）與判斷磁性。 （25 分）