95年 - 95 經濟部辦理台電公司及中油公司_新進職員甄試試題_儀電類：電子與電路學#147381

1. 對一個實際的運算放大器(real OPA)而言，下列敘述何者正確？ (A)其開路增益(gain)為無限大且輸入阻抗接近零 (B)其輸出電壓將受直流工作電壓限制(亦即受到工作電壓箝制) (C)其輸入電壓頻率不管多大，其增益不受影響 (D)不需工作電壓就可運作 (E)其輸入與輸出阻抗均接近無限大

2. 在反相運算放大器電路中，其短路電流 50mA，若 Vs(t)=0.1sin(ωt)、增益=50，那麼其最小負載電阻值應為？ (A) 50Ω (B) 100Ω (C) 75Ω (D) 2Ω (E) 1Ω

3. 如圖 1，齊納(Zener)二極體之 P_z=5W，V_z=14V，最低可允許的負載電阻值為？
(A) 10Ω (B) 20Ω (C) 15Ω (D) 11.7Ω (E) 16Ω

4. 承上題，若齊納二極體的功率改為 7W，則最大可允許的負載電阻為？ (A) 10Ω (B) 20Ω (C) 30Ω (D) 11.7Ω (E) 15Ω

5. 如圖 2，下列敘述何者正確？
(A) \( V_{\mathrm{dd}} = 0V \) ，则CMOS工作在饱和區 (B) \( V_{\mathrm{dd}} = 2.4V \) ，则 \( V_{\mathrm{dd}} = 10V \) (C) \( V_{\mathrm{dd}} = 3.5V \) ，则CMOS工作在歐姆區 (D) \( V_{\mathrm{dd}} = 2.40V \) ，则CMOS工作在歐姆區 (E) \( V_{\mathrm{dd}} = 0V \) ，则 \( V_{\mathrm{dd}} = 4.75V \)

6. 如圖 3，f(t) 為輸入，x(t) 為輸出，下列何者是兩者最有可能的關係？
(A) $\frac{d^2x(t)}{dt^2} + 2x(t) = 10f(t)$ (B) $\frac{d^2x(t)}{dt^2} 2x(t) = 10f(t)$ (C) $\frac{d^2x(t)}{dt^2} + 2x(t) = f(t)$ (D) $\frac{d^2x(t)}{dt^2} 2x(t) = 10f(t)$ (E) $\frac{d^2x(t)}{dt^2} + x(t) = f(t)$

7. 承上題，下列何者為其最可能的拉氏轉換？ (A) $X(s) = \frac{10}{S^2 + 2} F(s)$ (B) $X(s) = \frac{10}{S^2 2} F(s)$ (C) $X(s) = \frac{1}{S^2 + 2} F(s)$ (D) $X(s) = \frac{10}{S^2 2} F(s)$ (E) $X(s) = \frac{1}{S^2 + 1} F(s)$

8. 如圖 4，為一閃光燈的充電電路，下列何者為電容的總(total)儲存能量？
(A) $18 \times 10^{3} J$ (B) $3.6 \times 10^{2} J$ (C) $1.0 \times 10^{3} J$ (D) $9 \times 10^{3} J$ (E) $7.2 \times 10^{2} J$

9. 承上題，電路的時間常數 r = ? (A) 0.5sec (B) 0.1sec (C) 1sec (D) 2sec (E) 0.01sec

9. 承上題，電路的時間常數 r = ? ( A ) 0.5sec ( B ) 0.1sec ( C ) 1sec ( D ) 2sec ( E ) 0.01sec
10. 承上題，若電容充電到其總儲存能量的 90% 時(相當於 Vc=5.692V)，所須時間約為： (A) 1.4sec (B) 2.1sec (C) 2.97sec (D) 3.41sec (E) 4.5sec

11. 如圖 5 電路，在達到穩態狀況時，電流 $I_{in}$ 之值為：
(A) 0.5A (B) 0.75A (C) 1.5A (D) 2A (E) 3A

12. 承上題，20Ω 電阻的電壓降值為： (A) 0V (B) 5V (C) 10V (D) 12V (E) 15V

13. 承第 11 題，$V_o$ 之值為： (A) 0V (B) 3V (C) 5V (D) 10V (E) 15V

14. 承第 11 題，貯存於電容器 C 之能量為： (A) 0mJ (B) 2.5mJ (C) 5mJ (D) 10mJ (E) 15mJ

15. 承第 11 題，貯存於電感器 L 之能量為： (A) 0J (B) $\frac{1}{16} J$ (C) $\frac{1}{8} J$ (D) $\frac{1}{2} J$ (E) 2J

16. 如圖 6，圖 a 可等效成圖 b 之電路，則 $R_1$ 之值約為：
(A) 0.8Ω (B) 1.2Ω (C) 1.6Ω (D) 1.8Ω (E) 2.0Ω

17. 承上題，$R_3$之值約為： (A) 1.2Ω (B) 1.6Ω (C) 1.8Ω (D) 2.4Ω (E) 2.6Ω

18. 圖 7 電路與平衡三相正相序交流電源連接，且電源之 $V_{an} = 120V \angle 0^\circ$，則電流 $I_a$ 之大小為：
(A) 5A (B) 8A (C) 10A (D) 13.3A (E) 15A

19. 承上題，$V_{ab}$ 之值約為： (A) $120V \angle 120^\circ$ (B) $120\sqrt{3}V \angle 120^\circ$ (C) $120\sqrt{3}V \angle 0^\circ$ (D) $120\sqrt{3}V \angle 30^\circ$ (E) $120\sqrt{3}V \angle 30^\circ$

20. 承第 18 題，若需要時可使用 $\tan 53^\circ = \frac{4}{3}$ 及 $\cos 23^\circ = 0.92$，則瓦特計 $W_1$ 的讀數約為： (A) 883W (B) 1350W (C) 1410W (D) 1530W (E) 1690W

21. 承第 18 題，瓦特計 $W_2$ 的讀數約為： (A) 200W (B) 240W (C) 280W (D) 320W (E) 360W

22. 圖 8 中，圖 a 之電路，其 AC 間之等效電路可簡化成圖 b 所示，則 $V_{ab}$ 之值約為：
(A) 15V (B) 16V (C) 18V (D) 20V (E) 22V

23. 承上題，$R_{ab}$ 之值約為： (A) 8Ω (B) 12Ω (C) 16Ω (D) 18Ω (E) 20Ω

24. 承第 22 題，若一電阻 $R_L$ 連接於圖中 CA 節點間，使能自此電路中吸收最大功率 $P_{max}$，則 $P_{max}$ 之值約為： (A) 6W (B) 6.8W (C) 7.6W (D) 13.5W (E) 15W

25. 設計一 pnp 共射電路如圖 9 示，已知電晶體之 $\beta_F=80$ 及 $V_{EB}=0.7V$，欲使其工作點 Q 之電流及電壓分別為 $I_{BQ}=10\mu A$ 及 $V_{ECQ}=2.5V$，則圖中電阻 $R_B$ 值約為：
(A) 120kΩ (B) 180kΩ (C) 250kΩ (D) 320kΩ (E) 430kΩ

26. 承上題，則工作點之電流 $I_{CQ}$ 值約為： (A) 0.8mA (B) 1.6mA (C) 6.4mA (D) 8.0mA (E) 10mA

27. 承第 25 題，$R_C$ 之值約為： (A) 250Ω (B) 400Ω (C) 500Ω (D) 1.6kΩ (E) 3.1kΩ

28. 如圖 10 的運算整流器電路(圖中運算放大器之電源供應部分未繪出)，假設運算放大器是理想的，且飽和電壓為 $\pm 12V$，而二極體在電流為 1mA 時之順向電壓降為 0.7V，電流每增減十倍，壓降升降量為 0.1V，則於 $V_1=10mV$ 時，其 $V_0$ 及 $V_A$ 之值為：
(A) $V_0=10mV$、$V_A=0.71V$ (B) $V_0=10mV$、$V_A=0.61V$ (C) $V_0=10mV$、$V_A=0.51V$ (D) $V_0=10mV$、$V_A=0.51V$ (E) $V_0=10mV$、$V_A=0.71V$

29. 承上題，於 $V_1=1V$ 時，其 $V_0$ 及 $V_A$ 之值為： (A) $V_0=1V$、$V_A=1.7V$ (B) $V_0=1V$、$V_A=1.6V$ (C) $V_0=1V$、$V_A=1.5V$ (D) $V_0=1V$、$V_A=1.5V$ (E) $V_0=1V$、$V_A=1.7V$

30. 承第 28 題，於 $V_1=1V$ 時，其 $V_0$ 及 $V_A$ 之值為： (A) $V_0=1V$、$V_A=1.7V$ (B) $V_0=1V$、$V_A=12V$ (C) $V_0=1V$、$V_A=12V$ (D) $V_0=1V$、$V_A=1.7V$ (E) $V_0=1V$、$V_A=12V$

31. 如圖 11，當流經 $R_3$ 電流為 0 時，下列敘述何者正確？
(A) $R_1+R_2=R_2+R_3$ (B) $R_3=(R_1+R_2+R_3+R_4)/4$ (C) $R_3 \times R_3 = R_1 \times R_4$ (D) $R_1 \times R_3 = R_2 \times R_4$ (E) $R_3 \times R_1 = R_3 \times R_4$

32. 承上題，假設 $R_1=R_2=R_3=1k\Omega$、$R_3 \gg 1M\Omega$、且 $V_S=12V$，當 $R_X=996\Omega$，橫跨 $R_3$ 的電壓為： (A) 0.6mV (B) 1.2mV (C) 10mV (D) 5mV (E) 12mV

33. 對一個位移式電容 ($C=\epsilon A/d$)，d 為距離，則電容器的電容靈敏度 S 與距離的關係為： (A) S 與 d 成正比 (B) S 與 d 成反比 (C) S 與 $d^2$ 成正比 (D) S 與 $d^2$ 成反比 (E) S 不隨 d 改變

34. 如圖 12，則下列何者正確？
(A) LED 的功率消耗率為 100mW (B) $R_S=82.5\Omega$ (C) 電池功率消耗率為 68mW (D) LED 的功率消耗率為 200mW (E) 電池功率消耗率為 100mW

35. 承上題(如圖 12)，若 LED 所需電流為 24mA，則下列敘述何者正確？ (A) $R_S=82.5\Omega$ (B) $R_S=100\Omega$ (C) $R_S=165\Omega$ (D) $R_S=137.5\Omega$ (E) $R_S=50.0\Omega$

36. 某一電路的電壓輸出為 $V_{out}(t)=10\cos(\omega t)$，下列敘述何者正確？ (A) 平均電壓為 0 (B) 電壓的均方根(Vrms)值為 0 (C) 平均電壓等於電壓之均方根值 (D) 電壓的均方根(Vrms)值 < 平均電壓 (E) 平均電壓與電壓的均方根(Vrms)值均為 0

37. 如圖 13，於 t=5 秒時，儲存於電感的能量 (W) 為：
(A) 5 焦耳 (J) (B) 10 焦耳 (J) (C) 100 焦耳 (J) (D) 25 焦耳 (J) (E) 50 焦耳 (J)

38. 關於一個導線的電阻值，下列敘述何者正確？ (A) 電阻值與導線長度成反比 (B) 電阻值與導線截面積成反比 (C) 電阻值與導線長度無關 (D) 電阻值與導線截面積成正比 (E) 電阻值與導線截面積無關

39. 三個相同電容值(均為 $3\mu F$)的電容器串聯在一起，則其等效電容值為： (A) $3\mu F$ (B) $9\mu F$ (C) $1\mu F$ (D) $1/3\mu F$ (E) $0.5\mu F$

40. 某一電路的電壓輸出為 $V_{\text{out}}(t) = 1.5 \cos(100t + \pi/4)$，若以傅立葉展開式來表示，$V_{\text{out}}(t) = A_0 + \sum A_0 \cos(2n\pi t/T) + \sum B_0 \sin(2n\pi t/T)$，下列敘述何者正確？ (A) $A_0 = 1.5$ (B) $A_1 \approx 1.06$ ($= 1.5 \div \sqrt{2}$) (C) $A_0 \approx 1.06$ ($= 1.5 \div \sqrt{2}$) (D) $B_1 \approx 2.12$ ($= 1.5 \times \sqrt{2}$) (E) $A_1 \approx 2.12$ ($= 1.5 \times \sqrt{2}$) 

41. 以下對A類放大器性質的敘述，正確的包括： (A)具有低輸出阻抗值 (B)使用電晶體電路時，射極隨耦器是常用的輸出級 (C)最大理想效率為50% (D)最常用於射頻(radiofrequency)功率放大 (E)總諧波失真均低於AB類、B類及C類等放大器

42. 圖14中，圖a可應用密勒定理(Miller's Theorem)得等效電路如圖b，圖中Y表示導納，則以下敘述，正確的包括：
(A) $Y_1 = Y(1 K)$ (B) $Y_2 = Y(1 + \frac{1}{K})$ (C) 只有於K被決定時的網路條件沒有被改變，密勒等效電路才可成立 (D) 密勒定理在決定放大器輸入阻抗時可用 (E) 密勒定理在決定放大器輸出阻抗時可用

43. 理想放大器的假設條件包括： (A)輸入阻抗為無限大 (B)輸出阻抗為零 (C)頻率自零至無限大時，其電壓增益保持穩定值 (D)電壓增益值為無限大 (E)可應用於開迴路組態中

44. 如圖15，圖中所示二極體D之功能包括：
(A)降低雜訊 (B)保護觸發電路 (C)防止負載電壓反向 (D)使負載電流轉離主整流電路，而使得閘流體能夠保持遏止狀態 (E)沒有任何功能

45. 承上題，設負載為25A高電感性負載，交流電源為240V，觸發延遲角為 $\alpha$，忽略閘流體和二極體之順向電壓降(以下數據誤差在 $\pm 5\%$ 以內者視為正確)，則： (A) $\alpha = 0^\circ$ 時，平均負載電壓為108V (B) $\alpha = 90^\circ$ 時，平均負載電壓為64V (C) $\alpha = 180^\circ$ 時，平均負載電壓為0V (D) 二極體D所需逆向峰值電壓額定值為240V (E) 二極體D所需之電流額定值為 $15\sqrt{2}$ A

46. 如圖 16 (理想運算放大器), 假設 $V_s(t) = 0.015 \cos(\omega t)$, $G = V_{out} / V_s$, 則下列敘述何者正確? (A) $V_{out}(t) = 0.15 \cos(\omega t)$ (B) 若運算放大器的開路增益為 $10^6$ (非 $\infty$), 則 $|G| < R_f / R_s$ (C) $V_{out}$ 與 $V_s$ 同相位 (未反相) (D) $G = 10$ (E) 若運算放大器的開路增益為 $10^6$ (非 $\infty$), 則 $|G| > R_f / R_s$

47. 承上題, 若假設 $R_s$ 與 $R_f$ 均有 5% 的誤差值, 則下列敘述何者正確? (A) 最小的 |G| 是發生在 $R_s = 950\Omega$、$R_f = 10.5k\Omega$ 下 (B) 最小的 |G| 是發生在 $R_s = 1050\Omega$、$R_f = 9.5k\Omega$ 下 (C) 最大的 |G| 是發生在 $R_s = 950\Omega$、$R_f = 10.5k\Omega$ 下 (D) 最大的 |G| 是發生在 $R_s = 1050\Omega$、$R_f = 9.5k\Omega$ 下 (E) |G| 的變動在表列值 (nominal) 的 10.5%、9.5% (亦即約 $\pm 10\%$) 範圍內

48. 如圖 17, 假設 $D_a$ 與 $D_b$ 的導通電壓為 0.6V, 則下列何者正確? (A) 此輸出為輸入 $V_a$ 與 $V_b$ 的反開 (AND) 邏輯 (B) 此輸出為輸入 $V_a$ 與 $V_b$ 的或開 (OR) 邏輯 (C) 此輸出為輸入 $V_a$ 與 $V_b$ 的反開 (NAND) 邏輯 (D) 此輸出為輸入 $V_a$ 與 $V_b$ 的反開 (NOR) 邏輯 (E) 假設 $V_b=0$, 則輸出波形與輸入 $V_a$ 相同

49. 承上題, 則下列敘述何者正確? (A) 此輸出 ($V_{out}$) 波形與電壓值均與輸入 $V_a$ 同 (B) 此輸出 ($V_{out}$) 波形與電壓值均與輸入 $V_b$ 同 (C) 此輸出 ($V_{out}$) 波形與輸入 $V_a$ 同, 但電壓值僅為 4.4V (D) 此輸出 ($V_{out}$) 波形與輸入 $V_b$ 同, 但電壓值僅為 4.4V (E) 若 $V_a=5V$ 且 $V_b=4V$, 則 $V_{out}=4.4V$

50. 關於 MOSFET 之運作, 下列敘述何者正確? (A) 在關斷區 (cutoff), $i_d$ 接近工作電壓與負載電阻之比值 (B) 在飽和區, $i_d$ 幾乎與 $V_{ds}$ 無關 (C) 在飽和區, $i_d$ 僅與 $V_{ds}$ 無關 (D) 在歐姆區 (ohmic), $i_d$ 與 $V_{ds}$ 和 $V_{ds}$ 均無關 (E) 在關斷區 (cutoff), $i_d=0$