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【段考】國一國文下學期
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103年 - 屏東縣立中正國民中學103學年度第二學期第一次段考七年級國文科試題#22220
> 試題詳解
沒有 【段考】國一國文下學期 權限，請先開通．
詳解 (共 2 筆)
DODOIT
B1 · 2015/08/09
#1131638
2
0
劉妍蓁
B2 · 2021/03/01
#4568150
(共 31 字，隱藏中）
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相關試題
沒有 【段考】國一國文下學期 權限，請先開通．
#845932
1 下列由理想運算放大器所組成的應用電路中，何種電路中的運算放大器輸入端，不可視為虛短路？ (A)比較器 (B)非反相放大器 (C)反相放大器 (D)微分器
#845933
2 如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體？ (A) n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET） (B) p 通道金氧半場效電晶體（P-MOSFET） (C) n 通道接面場效電晶體（N-JFET） (D) p 通道接面場效電晶體（P-JFET）
#845934
3 如圖所示運算放大器電路，下列敘述何者錯誤？ (A)參考電壓 VREF為+6V (B)當輸入電壓 Vi為 5V，輸出電壓 VO約為-12V (C)當輸入電壓 Vi為 7V，LED 燈為暗 (D)此電路為比較器電路.
#845935
4 有一 BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓 VT=25 mV，若 IC=1 mA，則該 BJT 之轉導 gm值為： (A) 4 mA/V (B) 40 mA/V (C) 400 mA/V (D) 4 A/V
#845936
5 PN 二極體之內建電位障（built-in potential barrier），乃是其空乏區域（depletion region）內甚麼所造 成？ (A)兩側電子 (B)兩側電洞 (C)中性原子 (D)正離子及負離子
#845937
6 在室溫時，N 型或 P 型半導體的導電特性與溫度的關係是： (A)隨溫度升高，導電特性變好 (B)隨溫度升高，導電特性變差 (C)導電特性不隨溫度變化而改變 (D)視其為 N 型或 P 型半導體而定
#845938
7 圖示理想二極體電路中，試求輸入電壓 vI的範圍，在此範圍內，輸出電壓 vO的值將會隨輸入 vI之變 化而變化，其範圍為： (A)1 V ≤vI≤ 4V (B) 1.5V ≤vI≤ 6V (C)2V≤vI≤8V (D) 4V ≤ vI≤ 10V
#845939
8 如圖所示之電路，其共振頻率約為何？ (A) 51.4 Hz (B) 61.4 Hz (C) 71.4 Hz (D) 81.4 Hz
#845940
9 圖示全波整流電路，若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms，二極體導通時的壓降 VD為 0.7 V，則此電 路中使用的二極體崩潰電壓應至少為： (A) 6.3 V (B) 9.3 V (C) 13.3 V (D) 17.3 V
#845941
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