複選題

72. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)，下列敘述何者正確？
(A)閘極與源極間的直流電阻接近無窮 大
(B)與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
(C)增強型 P 通道與空乏型 N 通道特性完全 相同
(D)閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽。

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#6667113
1. 題目解析: 這是一道關於金氧半場效...
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