1.試問絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)結合了哪兩種半導體元件的優點？
(A) BJT 的低導通壓降與 MOSFET 的高輸入阻抗
(B) BJT 的高切換頻率與 MOSFET 的低導通壓降
(C) SCR 的高耐壓與 BJT 的高頻切換
(D) GTO 的易關斷與 MOSFET 的大電流

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