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技檢◆儀表電子-甲級
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114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 03:零組件知識 1-33(2025/11/04 更新)#133277
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13. 當溫度每升高 1℃時,MOSFET 之 VT值的變化下列何者為正確?
(A)-2~-5mV
(B)+2~+5mV
(C)-6~-10mV
(D)+6~+10mV 。
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B1 · 2025/11/12
#7072454
題目解析 題目詢問MOSFET(金氧半...
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14. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽二極體兩端壓降的變化約為下列何者? (A)+2mV (B)+4mV (C)-2mV (D)-4mV 。
#3664624
15. 在一定電流下,溫度每升高 1℃時,矽電晶體的 VBE變化約為下列何者?(A)-2mV (B)-4mV (C)+2mV (D)+4mV 。
#3664625
16. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 50nA,則當溫度升高 10℃後,其 I 之值變成下列何者? (A)50nA (B)100nA (C)150nA (D)200nA 。
#3664626
17. 設某一電晶體在室溫下之 ICBO為 6μA,則當溫度升高 10℃後,其 ICEO之值變成下列何者? (A)3μA (B)6μA (C)12μA (D)18μA 。
#3664627
18. 砷化鎵(GaAs)元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤? (A)砷化鎵元件有較高的輸出電流 (B)砷化鎵元件有較高的gm(C)砷化鎵元件有較高的操作速度 (D)砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率(mobility) 。
#3664628
19. 下列對理想運算放大器的說明何者為錯誤? (A)輸入、輸出阻抗為無限大(B)共模拒斥比為無限大 (C)開迴路增益為無限大 (D)可放大之信號頻率為從零到無限大 。
#3664629
20. 下列對蕭基位障二極體(Schottky barrier diode,SBD)之描述何者為錯誤? (A)電流由電子傳導 (B)交換速度比 PN 接面二極體快 (C)順偏壓降會比PN 接面二極體低 (D)僅由砷化鎵(GaAs)製成 。
#3664630
21. 設 td表電晶體輸入改變狀態與輸出開始響應的延遲時間,ts表電晶體的儲存時間,tr表電晶體的上升時間,tf表電晶體的下降時間,則對電晶體從OFF 到 ON 狀態所須的時間 ton之說明下列何者為正確? (A)ton=tr+td(B)ton=tr+ts(C)ton=tr+tf(D)ton=ts+tf。
#3664631
22. 設 td表電晶體輸入改變狀態與輸出開始響應的延遲時間,ts表電晶體的儲存時間,tr表電晶體的上升時間,tf表電晶體的下降時間,則對電晶體從ON 到 OFF 狀態所須的時間 toff之說明下列何者為正確? (A)toff=tr+td(B)toff=tr+ts(C)toff=tr+tf(D)toff=ts+tf。
#3664632
23. 若 fs 與 fp 分別為石英晶體之串聯與並聯諧振頻率,則在下列何種頻率 f之下,石英晶體呈現電感性? (A)f<fs (B)f>fp (C)fs<f<fp (D)fp<f<fs 。
#3664633
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