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技檢◆儀表電子-乙級
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114年 - 11500 儀表電子 乙級 工作項目 06:電子學 101-150(2025/11/04 更新)#133300
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131. 正反器係由下列何種電路所組成?
(A)無穩態多諧振盪器
(B)單穩態多諧振盪器
(C)雙穩態多諧振盪器
(D)間歇振盪器 。
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B1 · 2025/11/11
#7071055
1. 題目解析 本題詢問“正反器”是由何...
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132. 計算負載上的功率消耗,需採用何種交流電壓值? (A)最大值 (B)平均值(C)有效值 (D)瞬間值 。
#3665660
133. SCR 觸發導通的瞬間,須在電路中加入何種元件來抑制過大的 di/dt?(A)電感器 (B)電阻器 (C)電容器 (D)二極體 。
#3665661
134. 電感性直流負載的控制電路中,需在負載兩端並聯何種元件來消除負載所產生的反電勢? (A)電感器 (B)電阻器 (C)電容器 (D)二極體 。
#3665662
135. 稽納(Zener)二極體的穩壓電路中,若 VI為 40V~60V,RL為 500Ω~1000Ω,則稽納二極體在何種情況下功率消耗最大? (A)VI=60V、RL=500Ω(B)VI=60V、RL=1000Ω (C)VI=40V、RL=500Ω (D)VI=40V、RL=1000Ω 。
#3665663
136. 電晶體放大器的 h 參數表示為:Vi=hiIi+hrVo,Io=hfIi+hoVo,而其 RL=-Vo/Io,此電路之電流增益 Af=-Io/Ii為何? (A)-hf/(1+RLho) (B)-hf/(1-RLho)(C)hf/(1+RLho) (D)hf/(1-RLho) 。
#3665664
137. 稽納二極體的稽納崩潰敘述,下列何者錯誤? (A)大多發生在高摻雜的二極體 (B)崩潰電壓一般小於 5V (C)若發生崩潰現象則不能使用 (D)崩潰現象係由於高電場所造成 。
#3665665
138. 下列何種電晶體放大器的電壓增益和電流增益皆大於 1? (A)共射極 (B)共集極 (C)共基極 (D)達靈頓 。
#3665666
139. 關於 N 通道 MOSFET 的敘述下列何者錯誤? (A)增強型做放大器使用時VGS加正電壓 (B)空乏型閘極開路時,在源極及汲極間加上電壓,將不導通 (C)空乏型與增強型皆採用 P 型基底 (D)空乏型的 VGST臨界電壓為負值 。
#3665667
140. 下列敘述何者錯誤? (A)MOSFET 係雙載子元件 (B)MOSFET 在 IC 的製程較 BJT 電晶體簡單 (C)在 IC 的製造時常以電晶體取代負載電阻 (D)MOSFET 係電壓控制元件 。
#3665668
複選題141. 下列元件中,何者是靠電流來驅動? (A)CMOS (B)BJT 電晶體 (C)LED (D)矽控整流器 。
#3665669
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