14. 如圖(六)所示，假設V_BE( on)=0.7V、β=100時，求V_C =？
(A) 3.87V
(B) 2.72V
(C) 6.48V
(D) 5.40V

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15. 分壓式電晶體偏壓電路如圖 ( 七 ) 左圖所示，其戴維寧等效電路，如圖 ( 七 ) 右圖所示。其等效電路中之VB與RB分別為多少？ (A) 4V、33.3KΩ (B) 12V、60KΩ (C) 8V、40KΩ (D) 4V、20KΩ

16. 下列有關共集極放大器的特性敘述，何者不正確？ (A) 輸入電阻很高，可當作輸入級使用 (B) 輸出端在電晶體之射極端 (C) 電壓增益很大，可當主放大器使用 (D) 輸出電阻很低，可當作輸出級使用

17. 如圖(八)所示，已知電晶體 β=100、VT=25mV，試求中頻電壓增益AV =vo / vi？ (A) －256(B) 256 (C) －225 (D) 225

18. 電晶體放大器之低頻響應(Low Frequency Response )主要是由下列何種因素所造成？ (A) 電晶體放大器外部的耦合電容 (B) 電晶體的 β 值 (C) 電晶體放大器的工作溫度 (D) 電晶體放大器內部的雜散電容

19. 下列有關差動放大器之特性描述何者不正確？ (A) 共模拒斥比越大越好 (B) 共模增益越小越好 (C) 共模拒斥比越大，越不能拒絕共模信號 (D) 差模增益越大且共模增益越小，代表差動放大器性能越好

20. 如圖(九)所示之電路，M1電晶體之臨界電壓(Threshold Voltage )VT =1V、K=8mA/V2 ， M2電晶體之臨界電壓(Threshold Voltage )VT =2V、K=2mA/V2 。試求A 點之直流電壓約為何？ (A) 2V (B) 4V (C) 6V (D) 8V

21. 一 P 通道 JFET，閘極電壓 = 10 V，源極電壓 = 5 V，汲極電壓 = 0 V，V GS ( off ) = 4 V， IDSS=16mA，則ID =？ (A) 0mA (B) 4mA (C) 8mA (D) 16mA

22. 一增強型P通道MOSFET(E-PMOS)之臨界電壓VGS(t)＝- 1V，汲極電壓為4.2V，源極電壓為5V，閘極電壓為0V，則其工作模式為何？ (A) 截止區 (B) 飽和區(定電流區) (C) 臨界區 (D) 歐姆區(三極區)

23. 下列敘述何者錯誤？ (A) FET當開關使用，是分別工作在歐姆區與截止區 (B) FET當放大器使用，是工作在飽和區 (C) JFET的正常操作條件為閘極和源極間的PN接面順偏、閘極和汲極間的PN接面逆偏 (D) MOSFET是目前人類使用最多的電晶體種類，特別是在電腦及通訊相關的電子設備中

24. 如圖(十)之電路，工作點設置於VGS=- 2V，VDS=5V，ID =2mA，則RD與RS分別為何？ (A) 2.5KΩ、1.5KΩ (B) 2KΩ、1.5KΩ (C) 1.5KΩ、2KΩ (D) 1.5KΩ、2.5KΩ

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