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109年 - 109 臺北捷運:電子學概要#84076
> 試題詳解
16.接續第 14 題,每一個二極體導通電壓為 V
D
,有關 v
S
與 v
O
敘述,何者正確?
(A)v
O
比 v
S
高 2V
D
(B)v
O
比 v
S
高 V
D
(C)v
S
比 v
O
高 2V
D
(D)v
S
比 v
O
高 V
D
答案:
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統計:
A(4), B(7), C(30), D(1), E(0) #2231618
詳解 (共 1 筆)
銅鑼燒
B1 · 2021/07/06
#4872296
Vs=VD+Vo+VD,Vs-Vo=2V...
(共 37 字,隱藏中)
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17.接續第 14 題,每一個二極體承受的最大逆偏電壓,下列何者正確? (A)vS (B)vS-VD (C)vS-2VD (D)vS-3VD
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#2231620
19.下圖所示 BJT 放大器,有關電晶體敘述,下列何者正確?(A)操作於飽和區 (B)操作於主動區 (C)操作於三極管區(D)操作於截止區
#2231621
20.接續第 19 題,有關電晶體敘述,下列何者正確? (A)VBE順偏、VBC逆偏 (B)VBE順偏、VBC順偏 (C)VBE逆偏、VBC順偏 (D)VBE逆偏、VBC逆偏
#2231622
21.接續第 19 題,通道調變電阻 ro,輸出端之小信號電阻 Rout為何? (A)RB//RC//ro (B)RB//ro (C)RC//ro (D)RB//RC
#2231623
22.接續第 19 題,輸入端之小信號電阻 Rin為何? (A)RB//RC//rπ (B)RB//rπ (C)RC//rπ (D)RB//RC
#2231624
23.接續第 19 題,電晶體轉導 gm,通道調變電阻 ro,放大器增益(vo/vi)為何? (A)-gm(ro+RC+RL) (B)+gm(ro+RC+RL) (C)-gm(ro//RC//RL) (D)+gm(ro//RC//RL)
#2231625
24.接續第 19 題,電壓 VCC加入旁路電容 C,目的為何? (A)增加增益 (B)降低電流 (C)充電 (D)形成小信號接地
#2231626
25.下圖所示放大器電路,電晶體 Q1與 Q2,正確操作區域為何? (A)Q1飽和區,Q2三極管區 (B)Q1飽和區,Q2飽和區 (C)Q1三極管區,Q2三極管區 (D)Q1三極管區,Q2飽和區
#2231627
26.接續第 25 題,操作於小信號差動模式,有關電晶體 Q1與 Q2源極端敘述,何者正確? (A)Q1高阻抗,Q2高阻抗 (B)Q1虛接地,Q2虛接地 (C)Q1虛接地,Q2高阻抗 (D)Q1高阻抗,Q2虛接地
#2231628
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