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無年度 - 二極體與稽納二極體#4364
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16. 當P型及N型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而P型半導體之空乏層內應有
(A)電洞
(B)電子
(C)負離子
(D)正離子。
答案:
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統計:
A(34), B(29), C(163), D(15), E(0) #182990
詳解 (共 1 筆)
Civy King Guo
B1 · 2016/12/09
#1544770
P型半導體之空乏層 負離子N型半導體之...
(共 31 字,隱藏中)
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17. 對一處於絕對零度(0ºk)之本質半導體,在此本質半導體之兩端加一電壓;若此本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內 (A)有電子流,也有電洞流 (B)有電子流,但沒有電洞流 (C)沒有電子流,但有電洞流 (D)沒有電子流,也沒有電洞流。
#182991
18. 障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。
#182992
19. 稽納二極體常應用於 (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓 電路。
#182993
20. 整塊N型半導體是呈現 (A)負電性 (B)視雜質原子序數而定 (C)正電性 (D)電中性。
#182994
1. 電子伏特是能量的單位,1eV=1.6×10-19焦耳。(A)O(B)X
#182995
2. 若將五價雜質摻入純矽(或鍺)中,就形成P型材料。(A)O(B)X
#182996
3. PN接合面所形成的空乏區中含有自由電子及電洞。(A)O(B)X
#182997
4. PN二極體接面所形成的障壁電勢,其極性是P端負,N端正。(A)O(B)X
#182998
5. 過渡電容CT隨逆向偏壓之增大而增大,成正比關係。(A)O(B)X
#182999
6. 二極體的好壞可以用三用電表來測量,即順向偏壓時成低阻抗,逆向偏壓時成高阻抗。(A)O(B)X
#183000
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