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106年 - 106 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#63883
> 試題詳解
16. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99,則β值變化為何?
(A)由99變為49
(B)由88變為49
(C)由49變為88
(D)由49變為99
答案:
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統計:
A(13), B(5), C(6), D(266), E(0) #1639584
詳解 (共 1 筆)
中華電已上榜
B1 · 2017/08/01
#2370323
0.98/(1-0.98)=490.99...
(共 40 字,隱藏中)
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17. 有關電晶體的結構與特性,下列敘述何者有誤? (A) NPN電晶體少數載子為電洞 (B) 含雜值比例是射極多於集極 (C) 含雜值比例是基極多於集極 (D) PNP電晶體的射極內,電子為多數載子
#1639585
18. 如右圖所示之LED驅動電路,使LED發亮的電壓為 2 V,電流為 15 mA ,假設飽和電晶體之VCE(sat)電壓降可忽略不計,VBE(sat) = 0.8V,試求RB 、RC的適當電阻值為何? (A) 15 kΩ、100 Ω (B) 15 kΩ、200 Ω (C) 25 kΩ、100 Ω (D) 25 kΩ、200 Ω
#1639586
19. 如右圖所示之放大電路,已知電晶體的β值為109,此電路的rπ為 1.1 kΩ,則此放大電路的輸出阻抗Zo約為多少? (A) 1 kΩ (B) 100 Ω (C) 9.9 Ω (D) 0.99 Ω
#1639587
20. 有一電路之電流增益Ai = 49,輸入阻抗為2 kΩ,輸出阻抗為18 kΩ,則此電路之電壓增益為何? (A) 69 (B) 245 (C) 441 (D) 521
#1639588
21. 有一個N通道JFET,若IDSS = 12 mA,VGS(OFF) = VP = -4 V,則VGS = -2 V時的ID電流值為何? (A) 6 mA (B) 3 mA (C) 2 mA (D) 0 mA
#1639589
22. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT = -2 V,假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V,欲使此元件操作在飽和區(saturation region),則汲極(drain)之最高電壓為何? (A) 7 V (B) 5 V (C) 3 V (D) 2 V
#1639590
23. 下列由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中,哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成 虛短路? (A)比較器 (B)非反相放大器 (C)反相放大器 (D)微分器
#1639591
24. 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為Vi1 = 55 μV,Vi2 = 45 μV,共模拒斥比CMRR(dB) = 40 dB ,差模增益 Ad = 500,則下列何者正確? (A)共模增益AC = 10 (B)差模輸入電壓Vd = 5 μV (C)共模輸入電壓VC = 100 μV (D)輸出電壓Vo = 5.25 mV
#1639592
25. 有關理想運算放大器的特性,下列敘述何者有誤? (A)輸出阻抗無限大 (B)有虛擬接地現象 (C)輸入阻抗無限大 (D)開迴路電壓增益無限大
#1639593
26. 類比式交流電壓表所量測的交流電壓值為下列何者? (A)平均值 (B)最大值 (C)有效值 (D)波形與頻率
#1639594
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