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108年 - 10808 臺北捷運：電子學概要#79631
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16. 輸出電壓 V
out
最低需滿足何條件?
(A)Q
2
在飽和區
(B)Q
2
在主動區
(C)Q
2
在三極管區
(D)Q
2
在截止區。
答案：
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統計：
A(18), B(7), C(1), D(1), E(0) #2079178
詳解 (共 1 筆)
朱冠亘
B1 · 2019/11/17
#3672618
電流鏡電路這裡是FET所以操作在飽和區若...
(共 31 字，隱藏中）
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17. 接續第 16 題，輸出電壓 Vout最低為何? (A)Vds2+Vt (B)Vgs2+Vt (C)Vgs2-Vt (D)Vds2-Vt。
#2079179
18. 接續第 16 題，(W/L)2為(W/L)1 6 倍，電流 ID2為 ID1幾倍? (A)2 (B)4 (C)6 (D)8 .
#2079180
19. 此原因為何？ (A)基底效應 (B)通道調變效應 (C)霍爾效應 (D)熱跑脫效應。
#2079181
20. 接續第 19 題，操作在飽和區，描述電流 ID2對應電壓 VDS2效應，可 以用電壓-VA表示，有關-VA說明，何者正確？ (A)-VA值越小，電流 ID2變化較小。 (B)-VA值越小，電流 ID2變化較大。 (C)-VA值越小，電壓 VDS2變化較小。 (D)-VA值越小，電壓 VDS2變化較大。
#2079182
21. 接續第 19 題，操作在飽和區，如何降低電流 ID2對應電壓 VDS2之變 化? (A)增加 VGS2-Vt (B)選用通道寬度較寬的電晶體。 (C)選用通道寬度較窄的電晶體。 (D)選用通道長度較長的電晶體。
#2079183
22. 有關負載敘述，何者正確？ (A)無負載 (B)主動負載 (C)被動負載 (D)電阻負載
#2079184
23. 接續第 22 題，有關電晶體 Q2的敘述，何者錯誤？ (A)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 ro2。 (B)當作電流源，提供定電流。 (C)汲極端(drain)看入之小信號電阻為 1/gm2。 (D)增強型電晶體。
#2079185
24. 接續第 22 題，電晶體操作區域，何者正確？ (A)Q1三極管區，Q2三極管區。 (B)Q1飽和區，Q2三極管區。 (C)Q1飽和區，Q2飽和區。 (D)Q1主動區，Q2主動區。
#2079186
25. 接續第 22 題，放大器增益(vo/vi)為何？ (A)gm1(ro1//ro2) (B)gm1ro1+gm1ro2 (C)gm1ro1 (D)gm1ro2。
#2079187
26. 接續第 22 題，下圖所示為輸出電壓 vO對應電流 iD1的曲線圖， 如果操作在負載曲線 B 點左邊，下述何者正確？ (A)Q1飽和區，Q2三極管區。 (B)Q1飽和區，Q2飽和區。 (C)Q1三極管區，Q2三極管區。 (D)Q1三極管區，Q2飽和區。
#2079188
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