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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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97年 - 97 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一):電子學與電路學#18989
> 試題詳解
18. 對 CMOS 四個英文縮寫字母的涵意說明,下列何者有誤?
(A) C ( Complementary ) 是指「互補」之意
(B) M ( Memory ) 是指「記憶體」之意
(C) O ( Oxide ) 是指「氧化物」之意
(D) S ( Semiconductor ) 是指「半導體」之意
答案:
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統計:
A(3), B(21), C(3), D(1), E(0) #713386
詳解 (共 1 筆)
whales186
B1 · 2018/02/16
#2627218
互補式金屬氧化物半導體(英語:Compl...
(共 480 字,隱藏中)
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相關試題
19. 對一般基本放大器加上負回授後,下列特性敘述,何者有誤? (A) 放大器的增益 ( Gain ) 會衰減 (B) 頻寬 ( Bandwidth ) 會增加 (C) 增益與頻寬的乘積 ( Gain Bandwidth Product, GBP ) 提高 (D) 雜訊 ( Noise ) 對電路的影響降低
#713387
20. 一個數位加法器的積體電路(IC)分別以 BJT 電晶體設計和用 MOS 電晶體設計,一般而言 對這兩種設計方式,下列敘述何者正確? (A) 對於速度,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 快 (B) 對於功率消耗,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 省電 (C) 對於輸出訊號,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 有較高的雜訊 邊界 ( Noise Margin ) (D) 對於密度,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS 電晶體實現的 IC 密度高
#713388
21. 下列有關物理量的單位定義,何者有誤? (A) 安培( A )為電流的單位;1 A = 1 庫侖 ( Coulomb ) / 秒 (B) 伏特(V)為電壓的單位;1 V = 1 焦耳 ( Joul ) / 庫侖 (C) 瓦特(W)為功率的單位;1 W = 1 焦耳 / 秒 (D) 仟瓦小時 ( kwh ) 為能量的單位;1 kwh = 3600 焦耳
#713389
22. 圖(八)電路中,R1 和 R2 的消耗功率分別 23.7 W 及 36.3 W。已知 I S = 1.25 A,試求 VS =? (A) 11.47 V (B) 17.9 V (C) 48 V (D) 75 V
#713390
23. 圖(九)為某電路之一分支 ( Branch ),試問欲將 1 庫侖的正電荷由 A 點移至 B 點,電場需 作多少焦耳的功? (A) 0.5 焦耳 (B) 1 焦耳 (C) 2 焦耳 (D) 4 焦耳
#713391
24. 若VS MAX 表此電路所能承受的最大 VS 電壓值,試求VS MAX =? (A) 5.5 V (B) 6.8 V (C) 7.5 V (D) 11.3 V
#713392
25. 承第 24 題,當 VS 稍大於VS MAX 時,哪一個電阻會最先崩潰? (A) 12 Ω (B) 20 Ω (C) 1 (D) Ω 12 Ω 與20 Ω兩電阻同時崩潰
#713393
26. 試求 AB 兩端之等值電阻 Req =?
#713394
27. 承第 26 題,於 AB 兩端加入一理想獨立電壓源 VS如圖(十二)所示。當a = 0.5時,對此 電路中的兩電源之能量供給狀態,下列敘述何者正確? (A) 相依電源 ( avx ) 消耗能量,獨立電源 ( VS ) 消耗能量 (B) 相依電源 ( avx ) 供應能量,獨立電源 ( VS ) 消耗能量 (C) 相依電源 ( avx ) 消耗能量,獨立電源 ( VS ) 供應能量 (D) 相依電源 ( avx ) 供應能量,獨立電源 ( VS ) 供應能量
#713395
28. 圖(十三)網路中,部分分支電流已測得如圖所示。假設分支 X 之電壓 Vx = 3.5 V,試問此 分支電路之消耗功率 PX 為下列何者? (A) PX = – 15.75 W ( 供應能量 ) (B) PX = – 22.75 W ( 供應能量 ) (C) PX = 15.75 W ( 消耗能量 ) (D) PX = 22.75 W ( 消耗能量 )
#713396
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