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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416
> 試題詳解
19如圖為一共源(CS)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 g
m
,輸出電阻為 r
o
,則此放大器的電壓增益為何?
(A)-gmR
D
(B)-gm(R
D
// r
o
)
(C)-r
o
/ R
D
(D)-R
D
/ ro
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統計:
A(8), B(104), C(4), D(3), E(0) #1044778
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/02
私人筆記#7608226
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相關試題
20關於 BJT 電晶體之敘述,下列何者正確? (A)爾利效應(Early Effect)爲基極有效寬度調變所造成 (B)爾利效應(Early Effect)越大,則相同之集極電流條件下,輸出阻抗越小 (C)PNP 電晶體工作於主動區(Forward Active Region)時,射極電壓較集極電壓爲低 (D)NPN 電晶體工作於主動區(Forward Active Region)時,流入基極之電流主要爲電子載子電流
#1044779
21如圖為一共汲(CD)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為ro→∞,則此放大器的輸出電阻 Ro 為何? (A)Rs (B)Rs/(1+gmRs) (C) 0 (D)∞
#1044780
22下圖電路爲一個音頻放大器,若欲設計此電路,使得其低 3 分貝頻率 (Lower 3 dB Frequency)爲15 Hz,則電路中 C1 應使用多大之電容? (A)0.22 µ F (B)0.47 µ F (C)0.59 µ F (D)0.75 µ F
#1044781
23如圖所示之電路,假設 MOS 電晶體操作在飽和區,λ= 0,ID = 1 mA, CGS = 50 fF,CGD = 10 fF,CDB = 50 fF,採用米勒(Miller)趨近法,求位於 G 端之極點頻率爲何? (A)1.97 GHz (B)2.97 GHz (C)3.97 GHz (D)4.97 GHz
#1044782
24如圖所示 MOSFET 電路,電晶體 M 是增強型(enhancement type)n 通道 MOSFET。已知 VDD = 3 V、 |Vtn|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V2、ID = 0.08 mA、忽略輸出電阻 ro,則此電晶體 工作的區域為: (A)崩潰區(breakdown region) (B)三極區(triode region) (C)截止區(cut-off region) (D)飽和區(saturation region)
#1044783
25圖示電路,若 VCC = +12 V,且電晶體之 β >>1,欲電晶體在主動區(Active Region)工作,則電壓VB 之最大値約爲若干伏特? (A)1 (B)2 (C)3 (D)4
#1044784
26 如圖所示之電路,假設電晶體操作在順向主動區,忽略爾利( Early)與所有其他電容效應,假 使此電路之轉折(corner)頻率爲 130 Hz,β = 100,求此電路中電晶體之轉導(transconductance) 約爲何? (A)60 mA/V (B)70 mA/V (C)80 mA/V (D)90 mA/V
#1044785
27圖示電路主要作用爲:(A)電壓緩衝器(Voltage Buffer) (B)電壓放大 (C)箝位 (Clamping) (D)濾波器
#1044786
28圖示電路,若電晶體的 µnCox(W/L) = 100 mA/V2、輸出阻抗 ro = 10 kΩ,RD = 10 kΩ,I = 0.125 mA, 則電壓增益 Av 爲若干? (A)5 (B)10 (C)25 (D)50
#1044787
29一個 MOS 疊接放大器(Cascode Amplifier)是由下列那一種組合所構成? (A)CS-CG (B)CG-CD (C)CS-CD (D)CD-CG-CS
#1044788
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