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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28835
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19 在 MOS 電晶體的小訊號模型中,輸出電阻 rO與汲極電流 ID的關係為:
(A) rO ∝ID
(B) rO ∝
(C) rO ∝
(D) rO與 ID無關
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統計:
A(9), B(158), C(10), D(8), E(0) #979237
詳解 (共 2 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/18
#1194107
(共 1 字,隱藏中)
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4
0
李 德
B2 · 2016/04/05
#1302245
ro=Va/Id. ?
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20 在共射極放大器中,因為那一項等效或實際的電路元件之存在,使得放大器不能被視為理想的單向 放大器(Unilateral amplifier)? (A)射極電阻 (B)信號輸入端的耦合電容(Coupling Capacitor) (C)集極和射極間的輸出電阻(ro) (D)基極和集極間的空乏區電容(CBC)
#979238
21 在共射(CE)、共基(CB)、共集(CC)、疊接(Cascade)放大器組態中,具有最大輸出電阻的是: (A)共射放大器 (B)共基放大器 (C)共集放大器 (D)疊接放大器
#979239
22 有一 MOSFET 其臨界電壓為 Vt,爾利(Early)電壓為 VA,當正好工作於三極體區(Triode Region) 與飽和區(Saturation Region)之交界時,下列何者正確: (A) VGS = Vt (B) VGD = Vt (C) VDS = VGS + Vt (D) VDS = VGS - VA
#979240
23 當一 MOS 電晶體操作於飽和模式(saturation-mode)時,其汲極電流 ID與電晶體之過驅電壓(overdrive voltage)Vov的關係為: (A) ID正比於 1/Vov (B) ID與 Vov無關 (C) ID正比於 Vov (D) ID正比於 Vov2
#979241
24 若 MOSFET 電晶體操作於飽和區,下列敘述何者錯誤? (A)相同過驅電壓(overdrive voltage)條件下,其轉導值(transconductance)與寬長比(W/L)成正比 (B)輸出阻抗與導通電流約成反比 (C)閘極電容與寬長比(W/L)成正比 (D)相同電流條件下,其轉導值(transconductance)與過驅電壓(overdrive voltage)成反比
#979242
25 圖示電路中場效電晶體 FET 之 Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2 ,若電壓 VD為 3 V,則電阻 RD應 為若干 kΩ? (A) 4 (B) 6 (C) 12 (D) 24
#979243
26 圖為單端輸出差動放大器(Differential Amplifier)。其中RE = 4.3 kΩ,RC1 = RC2 = RE/2,VCC = -VEE = 5 V, 電晶體的 β 為 100,放大器的輸入共模(Common Mode)電壓為 0 V。則差動放大器的共模電壓增益 (Common Mode Voltage Gain)約為: (A) 1.0 (B) 0.5 (C) 0.25 (D) 0.125
#979244
27 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region),下列何種方式無法提升放大器之 單一增益頻寬(Unity Gain Bandwidth)? (A)降低 C 值 (B)降低 R 值 (C)選用寬長比(W/L)較大之電晶體 (D)增加 Vb
#979245
28 圖示電路中的電容 CE有何功用? (A)提升輸入阻抗 (B)提升電壓增益 (C)濾去高頻雜訊 (D)頻率補償
#979246
29 一個工作在主動模式(active mode)之 BJT,其爾利電壓(Early Voltage)為 25 V,IC = 2.5 mA,則 其輸出電阻 rO之值約為: (A) 0.1 kΩ (B) 1 kΩ (C) 10 kΩ (D) 100 kΩ
#979247
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