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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36418
> 試題詳解
20 下列組態的串接放大器,何者的輸入電阻最小?
(A)共基極-共射極
(B)共射極-共射極
(C)共集極-共基極
(D)共射極-共基極
答案:
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統計:
A(117), B(13), C(15), D(5), E(0) #1044839
詳解 (共 1 筆)
leochan87
B1 · 2017/02/16
#1628805
輸入電阻→看串接放大器前面的組態輸入電阻...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/01
私人筆記#7604320
未解鎖
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相關試題
21 一個操作於飽和區的 MOS 電晶體,其汲極電流 ID與過激電壓 Vov(Overdrive Voltage, VGS-Vt)的關係為: (A) (B) (C) (D)
#1044840
22 空乏型 N 通道 MOSFET,閘極和源極間電壓 VGS加上一負電壓時,通道導通程度會: (A)變大 (B)變小 (C)不變 (D)無窮大
#1044841
23 如圖為一共汲極(common drain)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導(transconductance)參數為 gm,輸出電阻為 ro→∞,則此放大器的電壓增益為何? (A)gmRS (B)gmRS / (1+gmRS) (C)- gmRS (D)-gmRS / (1+gmRS)
#1044842
24 試問一個 n 通道 MOSFET 的過激電壓(Overdrive Voltage, VGS-Vt)Vov 及其臨界電壓(Threshold Voltage)Vtn,與 MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確? (A)Vov=VGS-Vtn (B)Vov=VDS-Vtn (C)Vov=VGD-Vtn (D)Vov=VBS-Vtn
#1044843
25 如圖所示為一共源極(common source)放大器(偏壓電路未繪示),該電路電晶體之 Vt=0.5 V,VDD=5 V。當 VI=1.5 V 時,MOSFET 工作於飽和(saturation)區,且 ID=1 mA。求使此 MOSFET維持工作在飽和區之最大 RD值為何? (A)1 kΩ (B)2 kΩ (C)4 kΩ (D)8 kΩ
#1044844
26 若圖中電晶體為 N 通道增強型 MOSFET,且電壓增益(vo / vi)為 -3.3,則 Rin約為: (A)8.44 MΩ (B)6.32 MΩ (C)4.56 MΩ (D)2.33 MΩ
#1044845
27 如下圖電路,其 RS=1 kΩ、CC=0.2 μF、rπ=1.2 kΩ、gm=50 mA/V、RL=10 kΩ 和 CL=2 nF。則此電 路之頻寬約為: (A)7000 Hz (B)7300 Hz (C)7600 Hz (D)8200 Hz
#1044846
28 有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當 gm增加時,利用米勒效應(Miller effect)估計等效輸入電容 Cin及等效輸出電容 Cout的變化趨勢為何? (A)Cin變大、Cout變大 (B)Cin變大、Cout變小 (C)Cin變小、Cout變大 (D)Cin變小、Cout變小
#1044847
29 如圖的共集極(common collector)(CC)放大器(其偏壓電路未繪示),設電晶體工作於順向主動區(forward active region),其小訊號參數 gm、re、rπ均為已知,輸出電阻 ro→∞,則此放大器之輸 出電阻 Rout(不含 RL)為: (A)rπ+Rsig (B)re+Rsig (C)(rπ+Rsig)/(β+1) (D)(re+Rsig)/(β+1)
#1044848
30 分析以下之電路,若 BJT 皆操作在順向主動區(forward active region)且轉導(transconductance)參數 gm為 10 mA/V,β=100。試求 Ri=? (A)20 kΩ (B)51 kΩ (C)101 kΩ (D)121 kΩ
#1044849
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