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專科學力鑑定◆專(一、二):電子學
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113年 - 113 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程:電子學#125603
> 試題詳解
20. 電晶體的三種基本電路組態中,何者輸出信號與輸入信號反相?
(A) 共基極
(B) 共集極
(C) 共射極
(D) 三種電路組態輸入與輸出皆同相
答案:
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統計:
A(0), B(0), C(2), D(0), E(0) #3398807
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/09/25
#6787092
1. 題目解析 題目問的是在電晶體的三...
(共 845 字,隱藏中)
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21. 有關達靈頓放大電路特性,下列敘述何者正確?(A) 高輸出阻抗 (B) 低輸入阻抗(C) 電流增益約等於1 (D) 電壓增益約等於1
#3398808
22. 在積體電路內部中,大多採取何種耦合方式?(A) 直接耦合 (B) 變壓器耦合 (C) 電阻耦合 (D) 電容耦合
#3398809
23. 在一個三級串接放大器中,第一級電壓增益為10,第三級電壓增益為20,若總電壓增益為6000,則第二級的電壓增益為何? (A) 40 (B) 30 (C) 20 (D) 10
#3398810
24. 有關A類、B類、AB類及C類功率放大器特性,下列敘述何者正確?(A) C類放大器效率最低 (B) B類放大器工作偏壓設計在截止點(C) AB類放大器無法消除交越失真 (D) A類放大器效率最高
#3398811
25. 下列何種放大器較適合作為諧振放大器使用?(A) A類 (B) AB類 (C) B類 (D) C類
#3398812
26. 金氧半場效應電晶體(MOSFET)的工作特性,下列敘述何者錯誤?(A) N通道增強型MOSFET,VGS>VT才能導通ID電流(B) P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT為正值(C) VGS為零時,N通道增強型MOSFET沒有通道(D) N通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSP為負值
#3398813
27. 有一N通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT =2V,若VGS=3V、VDS=0.5V時,則該 MOSFET工作區域為何? (A) 截止區 (B) 歐姆區 (C) 飽和區 (D) 崩潰區
#3398814
28. N通道增強型MOSFET之臨界電壓VT=2V,該MOSFET工作於飽和區且閘-源極間電壓 VGS=4V時,汲極電流為4mA;若VGS=6V時,則汲極電流為何? (A) 4mA (B) 8mA (C) 16mA (D) 36mA
#3398815
29. 如圖(九)所示電路,源極所接電容器Cs之主要作用為何? (A) 負回授用以穩定直流工作點 (B) 隔離前、後級放大器之直流偏壓 (C) 耦合前、後級放大器之交流信號 (D) 交流信號旁路用電容,可提高交流電壓增 益
#3398816
30. 假設交流工作時所有電容阻抗皆可視為零,則其電壓增益Av=vo/vi為何?(A) 2(B) 3.75(C) – 2(D) – 3.75
#3398817
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