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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22366
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21 共射極(CE)電晶體放大電路中,R
E
為射極端外接電阻,h
ie
為B與E間內阻。則此電晶體輸入阻抗值 :
(A)接近R
E
(B)遠大於R
E
(C)接近h
ie
(D)遠小於h
ie
答案:
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統計:
A(18), B(44), C(14), D(2), E(0) #852884
詳解 (共 2 筆)
DS2
B2 · 2021/04/26
#4678471
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reborn970105
B1 · 2019/03/21
#3255481
Ri=(β+1)(hie+RE)
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22 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β (=Ic/Ib)為 210,以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的電壓增益AV (=Vo/Vi)約為多少? (A) -100 (B)-200 (C)-300 (D)-400
#852885
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#852886
24 下列那一種的直流偏壓方式不適用空乏型 MOSFET? (A)汲極回授偏壓 (B)自給偏壓 (C)分壓偏壓 (D)固定偏壓
#852887
25 如圖所示為一個交流等效電路,其輸入阻抗(Zin=Vi/Ib)為: (A)rπ+RE (B)rπ (C)rπ((1+β)RE) (D)rπ+(1+β)RE
#852888
26 如圖的全波整流器電路,各二極體導通之VD=0.7V。若輸入電壓VI之峰對峰(Peak-to-Peak)為 12V 之正弦波,則各二極體在逆向偏壓時需承受之峰值電壓為: (A) 12V (B) 11.3V (C) 10.6V (D) 9.2V(E)一律給分
#852889
27 在室溫下,加熱一矽半導體,若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大,則可推測該矽半 導體最可能是: (A)n+ 型半導體 (B)p+ 型半導體 (C)純矽半導體 (D)無從推測
#852890
28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中,若有電子流流向正 X 方向,霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼 方向? (A)正 Y (B)負 Y (C)正 Z (D)負 Z
#852891
29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -Transistor Logic)快的原因是因為蕭特基電晶體: (A)沒有 RC 延遲因素 (B)不會進入深飽和區 (C)載體移動率較快 (D)載體以穿透效應傳輸
#852892
30 將硼( B )元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體? (A) N 型 (B) P 型 (C)空乏型 (D)增強型
#852893
31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm) 需約為多少才能維持振盪: (A) 20mA/V (B) 2mA/V (C) 0.2mA/V (D) 0.02mA/V
#852894
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