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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 初等考試_電子工程:電子學大意#35860
> 試題詳解
21 BJT 單級放大器架構中,小訊號特性電壓增益接近於 1 是那種?
(A)共射極
(B)射極隨藕
(C)共基極
(D)具有射極電阻之共射極
答案:
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統計:
A(2), B(115), C(17), D(2), E(0) #1031285
詳解 (共 1 筆)
Civy King Guo
B1 · 2016/10/12
#1479974
CC組態(射極隨藕) Av接近於1
2
0
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/15
私人筆記#7641458
未解鎖
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22 當 BJT 操作於主動模式,其 IB、IC、IE三者之大小關係為: (A) IB<IC<IE (B)IB>IC>IE (C)IC>IE>IB (D)IC<IB<IE
#1031286
23 P 通道增強型 MOSFET 導通時,閘極必須加: (A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零
#1031287
24 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出 阻抗(ro)為 10 kΩ,試求 Vo / Vi=? (A)-5.25 (B)-10.5 (C)-21 (D)-42
#1031288
25 MOSFET 一般可應用於類比及數位兩種電路,當應用於小訊號放大,此時電晶體應工作於下列何區 域? (A)截止區 (B)三極管區(Triode Region) (C)飽和區 (D)崩潰區
#1031289
26 有一 npn 電晶體,其爾利電壓(Early Voltage)VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式,且 IC = 4 mA, 則電晶體的輸出電阻 ro約為: (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)160 kΩ (D)無窮大
#1031290
27 如圖的共射(CE)放大器,設電晶體工作於主動模式(Active Mode),其小訊號參數 gm、re、rπ及 輸出電阻 ro均為已知,各外加電容均極大。則此放大器之輸入電阻 Rin(不含 Rsig)為: (A)RB (B)RB || rπ (C)RB || ro (D)RB || RC
#1031291
28 下列之放大器若電晶體操作於順向主動區(forward active region),且 vo對 vi為高通(high pass)頻 率響應,下列何種方式無法降低本放大器之低頻 3dB 頻率點(ωL )? (A)增加 RL (B)增加 RB (C)增加 RE (D)減低 C1
#1031292
29 圖示電路,若 V + = +12 V、V − = -12 V、RE = 3 kΩ,且電晶體之α ≈ 1,EB 接面導通電壓為 0.7 V,EC 間飽和電壓降為 0.3 V,欲電晶體在主動區(Active Region)工作,則電阻 RC之最大值約為若e干 kΩ? (A) 2.1 (B)3.3 (C)5.5 (D)8.6
#1031293
30 有一電 如下圖所示,若所有電阻 R1~R5 均相等,且所有放大器 U1 及 U2 均為理想運算放大器。若 交流電 V1,其振幅為 5 V,試問節點 A 的最大電壓 VA應落在下列何範圍內? 路 (A) 6 V VA 源 (B) 4 V VA<6 V (C)2 VVA<4 V (D)VA<2 V
#1031294
31 相較於基本單級的共源極 CS 放大器,圖示 CD-CS 串接放大電路的主要優點為: (A)可提高輸入阻抗 (B)可提高輸出阻抗 (C)可提升電壓增益 (D)可增加頻寬
#1031295
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