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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22365
> 試題詳解
22 如圖所示電路,電晶體皆為矽質,其中電晶體Q
1
與Q
2
有相同特性,若V
CC
=15 V,V
EE
=-10 V,電 阻R
1
=5 kΩ,R
2
=3 kΩ,R
3
=R
4
=3 kΩ,稽納二極體電壓V
Z
=7 V,V
i1
=V
i2
=0 V,若輸出電壓差V
O
= V
O1
-V
O2
,則V
O
約為何值?
(A)-4.2 V
(B) 4.2 V
(C)-2.1 V
(D) 2.1 V
答案:
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統計:
A(10), B(9), C(33), D(16), E(0) #852845
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/12/19
#1221026
(共 1 字,隱藏中)
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2
0
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23 如圖所示為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load),其中I=200 µA,並且電晶體 都具有相同的參數,β=100,ro=100 kΩ。此電路差模電壓增益(Differential Mode Voltage Gain) Ad≣Vo/(V1-V2)約為:(A) 400 (B) 200 (C) 100 (D) 50
#852846
24 某電壓放大器以圖示電路模型表示,其中Ri=4 kΩ、Ro=1 kΩ,若將二個相同的此種電壓放大器串 接,問串接後電路的總電壓增益約為若干? (A) 4000 (B) 5000 (C) 8000 (D) 10000
#852847
25 如圖所示之空乏(Depletion)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知工作點(Operating Point) 閘源極電壓VGS為 0.33 V,汲極電流ID為 7.6 mA,IDSS為 6 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP 為-3V,則此放大器的輸入阻抗Zi約為多少? (A) 330 kΩ (B) 560 kΩ (C) 720 kΩ (D) 910 kΩ Vi
#852848
26 一N通道接面場效電晶體(JFET)的IDSS=4 mA,VP=-4 V,若ID=1 mA,則其VGS約為: (A) 2 V (B) 1 V (C)-1 V (D)-2 V
#852849
27 與 BJT 電路比較下列有關 CMOS 電路的特性,何者敘述錯誤? (A)交換速率較快 (B)製作容易,價格低廉 (C)消耗功率小 (D)雜訊免除佳
#852850
28 設VBE=0.7 V,VC=9 V,則圖中的電流IB約為: (A) 0 µA (B) 2.3 µA (C) 13.8 µA (D) 15.0 µA
#852851
29 若圖中電晶體Q1及Q2之特性相同且VBE=0.7 V,則IO之電流大小約為: (A) 5.45 mA (B) 4.35 mA (C) 2.15 mA (D) 1.25 mA Io
#852852
30 如圖所示電路,已知其中齊納(Zener)二極體的VZ=5 V,則該齊納二極體的消耗功率約為: (A) 6 mW (B) 4 mW (C) 2 mW (D) 1 mW
#852853
31 下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓? (A)光二極體(Photo Diode) (B)齊納二極體(Zener Diode) (C)變容二極體(Varactor) (D)蕭基二極體(Schottky Diode)
#852854
32 PIN 感光二極體工作時,基本上是操作於那一偏壓下? (A)順向偏壓 (B)逆向偏壓 (C)零電壓下(短路) (D)不加電壓(開路)
#852855
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