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98年 - 98 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22364
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22 如圖所示,利用二極體及電阻組成數位正邏輯電路,則此為何種邏輯閘?
(A)NAND閘
(B)AND閘
(C)NOR閘
(D)OR閘
答案:
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統計:
A(9), B(68), C(7), D(7), E(0) #852805
詳解 (共 1 筆)
Chung Chan
B1 · 2017/05/26
#2216591
只有當Va=Vb=Vc=Vd=1時輸出才...
(共 33 字,隱藏中)
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23 當雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor)工作於順向作用區(Forward Active Region)時,集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加,其原因為何? (A)射-基接面空乏區(Depletion Region)寬度增加,造成基極有效寬度變窄 (B)射-基接面空乏區(Depletion Region)寬度減少,造成基極有效寬度變窄 (C)集-基接面空乏區(Depletion Region)寬度增加,造成基極有效寬度變窄 (D)集-基接面空乏區(Depletion Region)寬度減少,造成基極有效寬度變窄
#852806
24 某一型態之正反器的特性函數(Characteristic Function)為Q (t+1)=A⊕ Q(t),其中A為輸入端信號,則此正反器為下述何種型態? (A)R-S (B)D (C)J-K (D)T
#852807
25 當一個放大器要用來放大一個輸入電壓訊號,則該放大器宜具有下列何種特性? (A)大的輸入電阻 (B)小的輸入電阻 (C)大的輸出電阻 (D)小的輸出電阻
#852808
26 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述,何者錯誤? (A)電晶體作為開關時,是在它的截止(Cut-off)與飽和(Saturation)兩個區工作 (B)電晶體在飽和區時,B-E和B-C兩個接面都是逆偏(Reverse-bias) (C)電晶體在作用(Active)區時,B-E接面順偏(Forward-bias),B-C接面逆偏 (D)電晶體作為放大器使用時,是在作用(Active)區
#852809
27 如圖所示電路,電晶體Q1與Q2有相同特性,若VCC=15 V,VEE=-20 V,電阻R1=R2=6 kΩ,R3=R4=8 kΩ,R5=5 kΩ,當電晶體Q1與Q2皆為導通時,則輸出之電壓Vo約為何值? (A)12.42 V (B)9.42 V (C)6.42 V (D)3.42 V
#852810
28 下圖所示為一主動濾波器,若Ri=20 kΩ,Rf=200 kΩ,R1=1.5 kΩ,C1=0.02 μF,則其半功率點的頻率為:(A)5.3 kHz (B)10 kHz (C)15.1 kHz (D)20.3 kHz
#852811
29 如圖所示電路,假設R1=5 kΩ,R2=20 kΩ,Vo=0.2 V,則其輸入抵補電壓(Input Offset Voltage)為多少mV? (A)50 (B)20 (C)30 (D)40
#852812
30 理想運算放大電路如下圖所示,其輸出電壓Vo應為: (A)-6 V (B)-8 V (C)-10 V (D)-12 V
#852813
31 在IB保持固定情況下,ΔVBE/ΔVCE代表雙極性接面電晶體之: (A)hie (B)hfe (C)hre (D)hoe
#852814
32 當五個反相器(Inverters)接成一個環振盪器(Ring Oscillator),若各反相器具有相同之傳播延遲(Propagation Delay)tp,則該環振盪器之振盪頻率為: (A)5 tp (B)10 tp (C)1/(5 tp) (D)1/(10tp)
#852815
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