23. 若有一長通道(long channel) N 通道增強型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,其放大器參數為:臨界電壓VTH = 1.5 V 和導電參數Kn = 0.25 mA/V2, V GS=5V, VDS = 6V,已知此電晶體可以忽略基板效應(body effect) 及通道長度調變效應 (channel length modulation effect),試求此電晶體之汲極 (drain) 電流(ID)為多少? (A) 1.08 mA (B) 3.0mA(C) 5.02 mA (D) 6.32 mA