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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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113年 - 113 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一):基本電學、基本電學實習、 電子學、電子學實習#119627
> 試題詳解
24. 如圖(十七)所示電路,若v
s
(t)=V
m
sin(ωt)V,則下列波形圖的相位關係何者正確?
(A)
(B)
(C)
(D)
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統計:
A(15), B(21), C(25), D(25), E(0) #3229648
詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B1 · 2025/10/25
#6966620
題目解析 題目中提供了一個正弦波形的電...
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私人筆記 (共 2 筆)
【給你考運】勞贖
2024/05/04
私人筆記#5950808
未解鎖
有幫助請幫我按個讚鼓勵;有錯請不吝指教(...
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看完這題就上榜了
2026/03/24
私人筆記#7918946
未解鎖
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25. 以一電鍋煮飯,若將其電源線插頭插入交流 110 V 插座中,且煮飯開關切入,卻未見煮飯指示燈亮起,也未加熱煮飯,則下列敘述何者不是造成電鍋未加熱煮飯的原因? (A) 指示燈接線脫落 (B) 煮飯開關接觸不良 (C) 電源線有斷線 (D) 插頭與插座間接觸不良
#3229649
26. 如圖 ( 十八 ) 所示理想二極體整流電路, v o 的平均值及每個二極體的逆向峰值電壓 ( PIV ) 分別為何? (A)(B)(C)(D)
#3229650
27. 當PNP型BJT偏壓於主動區(作用區),其基極電壓VB、集極電壓VC及射極電壓VE之大小關係,下列敘述何者正確? (A) VB >VC >VE (B) VE >VB >VC (C) VC >VE >VB (D) VB >VE >VC
#3229651
28. BJT 電路直流分析時,電晶體之 β=150,若基極電流IB =1mA,集極電流IC=120mA,則此電晶體之工作區為何? (A) 稽納崩潰區 (B) 截止區 (C) 主動區 (D) 飽和區
#3229652
29. 如圖(十九)所示電路,VCC=12V、VEE=–12V,若BJT之 β=54、VBE=0.7V,則VC約為何?(A) 7.4V (B) 6.2V (C) 5.1V (D) 4.2V
#3229653
30. 如圖(二十)所示電路,RC =3kΩ 及 RF1=RF2=68kΩ,若BJT之 β=100,且已知基極交流 電阻rπ=1kΩ,則電壓增益 Av=v o / vi約為何?(A) –182(B) –198 (C) –238 (D) –287
#3229654
31. 下列有關串級放大器增益之敘述,何者正確? (A) 放大器電壓增益dB值為負,則表示輸出電壓反相 (B) 放大器電流增益dB值為0,則輸出與輸入之電流相角相同 (C) 放大器之總增益dB值為各級增益dB值相乘 (D) 放大器增益dB值為負,則輸出信號振幅小於輸入信號振幅
#3229655
32. 下列有關電晶體之敘述,何者正確? (A) P通道MOSFET之汲極為P型半導體,源極亦為P型半導體 (B) N通道MOSFET之汲極為N型半導體,源極為P型半導體 (C) 增強型MOSFET已預置通道於汲、源極間,閘極不加電壓時汲、源極為導通狀態 (D) BJT與FET電晶體之結構均含P型半導體與N型半導體,均為雙載子傳導元件
#3229656
33. 如圖 ( 二十一 ) 所示放大電路,電晶體操作於飽和區,若 N 通道 MOSFET 工作點之轉移電導 gm =4mA/V,RD =2kΩ,RS=1kΩ,則此電路之電流增益Ai=io /ii約為何?(忽略汲極電阻 rd)(A) 0.81 (B) 0.62 (C) 0.36 (D) 0.13
#3229657
34. 如圖 ( 二十二 ) 所示電路之 N 通道 MOSFET 疊接放大電路,電晶體 M 1 之臨界電壓 ( threshold voltage ) Vt 1 = 3 V、參數 K1 = 4 mA / V2 ,電晶體 M2 之臨界電壓 Vt 2 = 2.5 V、 參數 K2 = 1 mA / V2 , RG = 1 M Ω, RL = 10 k Ω,若汲極電阻 r d 皆忽略,則此電路之電壓增益 Av = vo / v i約為何?(A) –1.98 (B) –2.82 (C) –3.56 (D) –4.58
#3229658
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