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106年 - 106學年度全國高中職聯招-資訊科#61800
> 試題詳解
26. 設計一橋式全波整流器中要求漣波因數r為 5%,R
L
為 10kΩ,則濾波電容Cmin至少應有
(A)530pF
(B)53μF
(C)530μF
(D)4.8μF 。
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私人筆記 (共 1 筆)
黃良友
2023/05/01
私人筆記#5073137
未解鎖
計一橋式全波整流器中要求漣波因數r為 5...
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相關試題
27. 有一個 555 IC 的電源電壓為 10V,則其第 6 腳的臨界電壓為多少伏特? (A) 6.66 (B)3.33 (C)5 (D)2.5 。
#1587948
28. 下列有關諧振電路之敘述中,那一個是錯誤? (A)品質因數 Q 愈高,頻帶寬度愈窄 (B) 並聯諧振之 Q 值愈小,選擇性愈差 (C)RLC 並聯諧振時,Q 值愈高,並聯分路之電流有 可能超過輸入電流源之電流值 (D)RLC 串聯諧振時,各個元件之電壓降必小於電源電 壓 。
#1587949
29. 有A、B兩個獨立電壓源,A串接一個 100 Ω負載電阻,B串接一個 50Ω負載電阻。A輸出之 電壓為脈波,其工作週期(duty cycle)為 64%,高準位電壓為 5V,低準位電壓為 0V,頻率 為 50HZ;B輸出之電壓為 5sin(50t)V,則下列敘述何者錯誤? (A)A的電壓頻率較B高 (B) A輸出的平均功率較B高 (C) A的平均值電壓較B高 (D) A的有效值電壓較B高。
#1587950
30. 下列有關虛接地的特性何者為是? (A)電壓很大且電流為零 (B)電壓很大且電流也很大 (C)電壓為零且電流很大 (D)電壓為零且電流為零。
#1587951
31. 如下圖所示之電路,若Vi= 1V ~ 3 V、OPA的Vsat為 15V,則V1 =? (A) – 2 V ~ – 6 V (B) 2 V ~ 6 V (C) 3 V ~ 5 V (D) 3 V ~ 9 V 。
#1587952
32. 如下圖所示之MOSFET電路,其中|Vt|=1 V、μnCox=20 μA/V2 、μpCox=10 μA/ V2 ,若 V1=6V、V2 =2V,則(W/L)M1:(W/L)M2:(W/L)M3為何?(忽略通道長度調變效應) (A)2:1:9 (B)1:1:9 (C)2:1:4 (D)1:1:2 。
#1587953
33. 下列有關晶體(crystal)振盪器之敘述,何者不正確? (A)其輸出電路 LC 槽路之諧振頻率 必須等於晶體的振盪頻率 (B)晶體之 Q 值愈高,輸出振幅愈大 (C)振盪頻率不受電晶體 特性及分布電容的影響 (D)頻帶很寬,穩定性高。
#1587954
34. 某橋式整流電路負載電阻為 10KΩ,電源 ,欲使整流後漣波電壓峰對 峰值限制在 2V 內,則濾波電容值至少須為 (A)22 (B) 42 (C)56 (D)100 μF 。
#1587955
35. 在下列何層電子軌道的電子具有較高能量? (A)K (B)M (C)Q (D)P 。
#1587956
36. 如下圖所示之電路,兩電晶體之 β = 100,則VC2=? (A)4.5 (B)5.7 (C)6.8 (D)3.6 V。
#1587957
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