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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#45963
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27 在室溫下,加熱一矽半導體,若測得該矽半導體的導電性隨溫度增高而明顯增大,則可推測該矽半 導體最可能是:
(A)n
+
型半導體
(B)p
+
型半導體
(C)純矽半導體
(D)無從推測
答案:
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統計:
A(6), B(1), C(38), D(15), E(0) #1201288
詳解 (共 1 筆)
yo
B1 · 2019/05/27
#3376644
本質半導體:負溫度電阻係數
(共 15 字,隱藏中)
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/31
私人筆記#7691245
未解鎖
解析 摻雜型半導體 (n+ 或 p...
(共 204 字,隱藏中)
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28 一塊半導體置於均勻磁場 B 中,若有電子流流向正 X 方向,霍爾效應是指半導體中電子會偏往什麼 方向? (A)正 Y (B)負 Y (C)正 Z (D)負 Z
#1201289
29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -Transistor Logic)快的原因是因為蕭特基電晶體: (A)沒有 RC 延遲因素 (B)不會進入深飽和區 (C)載體移動率較快 (D)載體以穿透效應傳輸
#1201290
30 將硼元素摻進純矽晶體中,則成為何種型別的半導體? (A)N型 (B)P型 (C)空乏型 (D)增強型
#1201291
31 圖中振盪器,C1=10μF,C2=20μF,L=100nH,R=10kΩ。電晶體的跨導(Transconductance,gm) 需約為多少才能維持振盪: (A) 20mA/V (B) 2mA/V (C) 0.2mA/V (D) 0.02mA/V
#1201292
32 關於之敘述,何者正確? (A)此為低通濾波器 (B)此為帶通濾波器 R1 (C)其高頻增益為 (D)R1越大則低頻 -3 dB頻率越低
#1201293
33 由理想運算放大器組成的電路,如圖所示。其中R1=R2=10kΩ,負載電阻RL=20kΩ。若輸入電壓VIN =2V,則負載電壓VL為何?(A) 0.5V (B) 1V (C) 2V (D) 4V
#1201294
34 圖示理想運算放大器電路,若輸出電壓vO=2(v1-v2),則: (A)R1=2kΩ、R2=4kΩ、R3=10kΩ、R4=10kΩ(B)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=5kΩ、R4=10kΩ (C)R1=1kΩ、R2=2kΩ、R3=3kΩ、R4=4kΩ (D)R1=2kΩ、R2=3kΩ、R3=3kΩ、R4=8kΩ
#1201295
35 圖中分壓式偏壓的MOSFET電路中,Zi及Zo分別代表輸入及輸出阻抗,rd為MOSFET小訊號模型汲極 區域內電阻,下列敘述何者正確? (A)Zi=R1+R2,Zo=RD (B)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=RD (C)Zi=(R1 R2)/(R1+R2),Zo=rd RD/( rd+RD) (D)Zi=R1+R2,Zo=rd RD/( rd+RD)
#1201296
36 圖中曲線為 CMOS 反相器的電壓轉換曲線,操作在那一點時功率損耗最多? (A)P1 (B)P2(C)P3 (D)P4
#1201297
37 PN接面二極體,P型的雜質濃度為NA,N型的雜質濃度為ND,接面處P型的空乏區寬度為XP,N型的 空乏區寬度為XN,若NA>ND,則下列敘述何者為正確? (A) XP>XN (B)XP<XN (C)XP=XN (D)NAXP>NDXN
#1201298
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