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105年 - 105 初等考試_電子工程:電子學大意#38334
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28 共源極放大器之低頻 3-dB 頻率,通常以下列何種電容為主要考慮因素?
(A)輸入端耦合電容
(B)輸出端耦合電容
(C)源極旁路電容
(D)電晶體內部電容
答案:
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統計:
A(32), B(28), C(130), D(20), E(0) #1094291
詳解 (共 1 筆)
Bi
B1 · 2018/05/10
#2781036
低頻是由外部電容所影響高頻是由內部電容所...
(共 24 字,隱藏中)
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28 共源極放大器之低頻 3-dB 頻率,通常以下列何種電容為主要考慮因素? (A)輸入端耦合電容 (B)輸出端耦合電容 (C)源極旁路電容 (D)電晶體內部電容
#1339917
29 某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容 C1 = 2 pF,其電壓增益為 VO / VI = -100 V/V。若輸出端 至地之等效電容為 C2,試求 C2 / C1的比值? (A)接近 0 (B)接近 1 (C)接近 50 (D)接近 100
#1094292
30 已知 A 及 B 為兩個獨立的電壓放大器,其電壓增益分別為 A1及 A2,輸入阻抗分別為 Ri1及 Ri2,輸 出阻抗分別為 Ro1及 Ro2;若將 A 的輸出端連接至 B 的輸入端,則整體的電壓增益為何?(A) A1+A2(B)A1A2 (C)(D)
#1094293
31 一直流增益 80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應,其單一增益頻率(unity-gain frequency)為 ft = 10 MHz,被用來設計一直流增益為 100 的非反相放大器,求此非反相放大器的單一增益頻率值? (A)100 kHz (B)1 MHz (C)10 MHz (D)100 MHz
#1094294
32 有一差動放大器,其一端輸入 Vi1 = 100 μV,另一端輸入 Vi2 = 50 μV,且此放大器之差模增益 Ad為 100, 而共模拒斥比(CMRR)為 10,則其輸出電壓為何? (A)2.75 mV (B)3.75 mV (C)4.75 mV (D)5.75 mV
#1094295
33 如圖所示電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V;BJT 操 作在主動區(forward active region)且轉導值(gm)為 10 mA/V,β = 40。若忽略元件之輸出阻抗(ro),試求 Vo / Vi 之值? (A)-400 (B)-100 (C)-80 (D)-40
#1094296
34 如圖所示韋恩電橋(Wien-Bridge)振盪器,其振盪角頻率為何? (A) 1k rad/s (B)2k rad/s (C)5k rad/s (D)10k rad/s
#1094297
35 如圖所示低通濾波器電路之 3 分貝(或截止)頻率約為多少? (A)3 kHz (B)5 kHz (C)6 kHz (D)8 kHz
#1094298
36 有關 Butterworth 低通濾波器的敘述,下列何者錯誤? (A)可濾除高頻信號(B)濾波器轉移函數只有極點頻率,沒有零點頻率(C)當階數愈低,愈接近理想低通濾波器的濾波特性(D)當階數愈高,通帶的平坦性愈佳
#1094299
37 如圖所示波形產生電路,U1為理想運算放大器,且飽和電壓(Saturation voltage)為 +10 V 與 -10 V。 對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形,下列敘述何者正確?(A)接近正弦波(B)接近方波(C)接近三角波(D)接近一直流準位
#1094300
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