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初等/五等/佐級◆電子學大意
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98年 - 98 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#48252
> 試題詳解
29 砷化鎵之能帶間隙在 300K 時為 1.424 eV,其發光二極體發光波長約為:
(A) 0.55 µm
(B) 0.87 µm
(C) 1.15 µm
(D) 1.55 µm
答案:
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統計:
A(2), B(18), C(7), D(7), E(0) #1233611
詳解 (共 2 筆)
我只是略懂
B2 · 2017/03/14
#1667592
波長(微米)=1.24 /能隙 (電子伏...
(共 35 字,隱藏中)
前往觀看
12
0
Jhong
B1 · 2017/03/14
#1667431
請問怎麼算
0
0
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30 如圖所示,已知齊納(Zener)二極體的Vz=10V,則負載RL兩端的電壓應為: (A) 12V (B) 10V (C) 8V (D) 4V
#1233612
31 IC 產業中之 Pseudo SRAM 的敘述,那一個是錯的? (A)它是揮發性記憶體的一種 (B)它用 1T(一個電晶體)DRAM 的技術去取代 6T SRAM 的架構 (C)它的 I/O 與控制介面為 SRAM 架構 (D)它的儲存架構其實為 SRAM
#1233613
32 圖中邏輯電路輸出信號(Y)之布林函數為何? (A) (B) (C) (D)
#1233614
33 輸入電壓vi經過圖中電路處理後(二極體為理想二極體),輸出電壓vo波形中之V1及V2為何? (A)V1=20 V; V2=4 V (B)V1=12 V; V2=4 V (C)V1=16 V; V2=4 V (D)V1=12 V; V2=0 V
#1233615
34 圖示電路為何種濾波器? (A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒
#1233616
35 某電路之高頻轉移函數為 FH ( s ) = 100 ,則此電路之 3dB 頻率約為若干 rad/sec?(A) 102 (B) 103 (C) 105 (D) 106
#1233617
36 對唯讀記憶體(ROM, Read Only Memory)而言,如果其位址線有 16 條,則其記憶位址有: (A) 32 個 (B) 16 個 (C) 16K 個 (D) 64K 個
#1233618
37 圖為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load)。若電晶體都有相同的爾利電壓(Early Voltage,VA)100V;且都設計在相同的驅使電壓(Overdrive Voltage, VGS-VTH)0.2V。此電路差模 電壓增益(Differential Mode Voltage Gain)Ad≣Vo / (V1-V2) 約為: (A) 1000 (B) 500 (C) 250 (D) 125
#1233619
38 有一空乏型P通道MOSFET,VGS(off)=4V,IDSS=8 mA,則當此MOSFET的VGS=-1V時,汲極電流ID為 : (A) 4mA (B) 8mA (C) 10mA (D) 12.5mA
#1233620
39 如圖所示運算放大器電路,若輸入電壓範圍為V1=1V~2V,試求其輸出電壓範圍Vo應為多少? (A)-12V ~ -6V(B)-10V ~ -6V(C) 6V ~ 12V (D) 6V ~ 10V
#1233621
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