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初等/五等/佐級◆電子學大意
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101年 - 101 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#37197
> 試題詳解
3 利用何種物理實驗效應可以判定出半導體是屬於正(P)型或負(N)型?
(A)霍爾(Hall)效應
(B)光電效應
(C)黑體輻射效應
(D)磁鐵磁性吸引效應
答案:
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統計:
A(123), B(5), C(0), D(14), E(0) #1074399
詳解 (共 1 筆)
牛奶
B1 · 2018/01/22
#2593657
霍爾效應(Hall effect)是指當...
(共 183 字,隱藏中)
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12
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/27
私人筆記#7678528
未解鎖
題目解析:判斷半導體型態的物理效應 ...
(共 324 字,隱藏中)
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4 若P-N接面二極體之導通電壓為 0.7 V,且導通電阻值為 0 Ω。若Vi = 5sinωt (V),且電容之初始電壓為 0 V,假設不考慮電容內阻,下列敘述何者最正確? (A)ω越小,Vo之峰值(peak value)不變,谷值(bottom value)變小 (B)電容越小,Vo之漣波(ripple)越小 (C)ω 越大,漣波越大 (D)電阻越大,Vo之漣波越大
#1074400
5 雙極性接面電晶體(BJT)在主動區(active region)操作下,其偏壓方式為: (A)B、E 間逆偏,C、B 間順偏 (B)B、E 間順偏,C、B 間逆偏 (C)B、E 間及 C、B 間均逆偏 (D)B、E 間及 C、B 間均順偏
#1074401
6 如圖所示放大器,若電晶體操作於順向主動區(forward active region)且忽略爾利效應(Early effect),Vi為輸入,Vo為輸出,下列敘述何者最正確? (A)該放大器為同相放大器 (B)增加直流偏壓Vb可增大增益 (C)減低電阻值(R)可增加電晶體電流 (D)提高VCC可增加增益
#1074402
7 若一BJT之射極接面為順向偏壓,其集極端為開路致IC =0,則此電晶體工作在那一個工作模式? (A)主動模式(active mode) (B)反向主動模式(reverse active mode) (C)截止模式(cutoff mode) (D)飽和模式(saturation mode)
#1074403
8 圖示為 npn 雙極性接面電晶體(BJT)的特性曲線圖,則橫軸、縱軸的變數分別為: (A)vBE、iC (B)vCE、iC (C)vBE、iB (D)vBC、iB
#1074404
9 當一 n 通道增強型 MOSFET,工作於飽和區(saturation region)時,下列何者最正確? (A)VDS≦VGS-Vt (B)VGD≦Vt (C)VGS≦Vt (D)Vt≦0
#1074405
10 欲將 MOS 電晶體當作電子開關使用,電晶體應工作於何種區域? (A)線性區 (B)崩潰區 (C)負電阻區 (D)截止區及飽和區
#1074406
11 場效電晶體(FET)工作在飽和區(saturation region)的轉導(transconductance)gm定義為: (A) ,即當電壓vDS固定於VDS,電流iD對電壓vDS的變化率 (B),即當電壓vGS固定於VGS,電流iD對電壓vGS的變化率 (C) ,即當電壓vDG固定於VDG,電流iG對電壓vDG的變化率 (D) ,即當電壓vGS固定於VGS,電流iG對電壓vGS的變化率
#1074407
12 如圖所示之電路,若MOSFET之轉導值(gm)= 1 mA/V,且操作於飽和區(saturation region),C2 > C1。下列敘述何者錯誤? (A)增加C2 將提升低頻之-3 dB頻率(ωL) 1 kΩ 1 kΩ (B)減少C1 將提升低頻之-3 dB頻率(ωL) (C)本電路為同相放大器 (D)加大gm將提升放大器之低頻-3 dB頻率(ωL)
#1074408
13 如圖的共集(CC)放大器(其偏壓電路未繪示),設電晶體工作於主動模式(active mode),其小訊號參數gm、re、rπ均為已知,輸出電阻ro→∞,則此放大器之輸入電阻Rin(不含Rsig)為: (A)rπ + RL(B)re + RL(C)(β+1)(rπ + RL)(D)(β+1)(re + RL)
#1074409
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