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101年 - [無官方正解]101 國立嘉義大學_電子物理學系光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題：電子學#146251
> 試題詳解
3. 將硼(As)元素摻進純矽晶體內，則成為_______ 材料。
(A) N 型
(B) P 型
(C) I 型
(D) J 型
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相關試題
15. 將硼B元素摻進純矽晶體內，則成為 (A)N型 (B)P型 (C)I型 (D)J型 材料。
#182989
4. 當 P 型及 N 型材料相接觸時，即會產生一空乏區，而 P 型半導體之空乏區內應有 (A) 電洞 (B) 電子 (C) 負離子 (D) 正離子。
#4063139
5. 下列有關共集極放大電路之敘述何者正確？ (A) 信號由集極輸入 (B) 輸入電阻高 (C) 射極電壓的平均值永遠為 0V (D) 又稱集極隨耦器。
#4063140
6. 如圖一所示電路，VBE=0.7 V，則其 IB 值為(A) 0.093 mA (B) 0.083 mA (C) 0.073 mA (D) 0.063 mA。
#4063141
7. 同上題，若 β=50，則 IC 值為(A) 4.65 mA (B) 4.15 mA (C) 3.65 mA (D) 3.15 mA。
#4063142
7. 同上題，若 β=50，則 IC 值為( A ) 4.65 mA ( B ) 4.15 mA ( C ) 3.65 mA ( D ) 3.15 mA。8. 同上題，則 VCE 值為(A) 8 V (B) 7.3 V (C) 6.35 V (D) 5.35 V。
#4063143
9. 如圖二所示之電路，在 VGS=0 時，測出的 IDS=10mA，當 Vgg 增至 5V 時，IDS=0，求此 JFET 在 VGS=－3V 時的 IDS 值為多少 mA？(A) 6.4 (B) 2.8 (C) 1.6 (D) 0.9 mA。
#4063144
10. 同上題，若 Vgg=6 V，求此 JFET 的 IDS 值為多少 mA？_____mA。(A) 0 (B) 1 (C) -1 (D) -2
#4063145
11. 如圖三為採用理想的運算放大器，則輸出電壓 V0 為(A) +2.5 (B) -2.5 (C) +1.5 (D) -1.5 V。
#4063146
12. 有關理想運算放大器的特性描述，下列何者 錯誤 ？(A) 開路電壓增益\( A_{vo} \rightarrow \infty \) (B) 輸入阻抗\( R_i \to \infty \) (C) 輸出阻抗\( R_o \rightarrow \infty \) (D) 頻帶寬度\( BW \to \infty \) 。
#4063147
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