阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
98年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38822
> 試題詳解
30 圖中電路在中頻工作,r
d
為電晶體小訊號汲極端內阻,其中R、C(包含C
1
與C
2
)元件功能為:
(A)C減低漣波,r
d
、R
s
與A
v
放大率無關
(B)C阻斷直流分量,A
v
約接近 1
(C)C阻斷直流分量,A
v
與r
d
成反比
(D)C減低漣波,A
v
與R
s
成正比
答案:
登入後查看
統計:
A(0), B(78), C(8), D(8), E(0) #1109611
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/08
#2178101
C 是用來阻隔直流此電路為 CD ,電壓...
(共 39 字,隱藏中)
前往觀看
11
0
相關試題
31 圖(a)為一個半波整形電路,圖(b)為其轉移曲線。若運算放大器為理想,二極體D之導通電壓為 0.7 V,則 圖(b)Vo / Vi的斜率約為何?
#1109612
32 關於系統轉移函數 之敘述,下列何者正確? (A)低頻-3 dB頻率在 10 rad/sec (B)低頻-3 dB頻率在 102 rad/sec (C)高頻-3 dB頻率在 103 rad/sec (D)低頻-3 dB頻率在 103 rad/sec
#1109613
33 如圖所示的電路,電晶體在飽和區工作,其中VCE,sat=0.2 V,Vi=5 V,β=125,則飽和電流ICE,sat為 : (A) 7.9 mA (B) 6 mA (C) 0.6 mA (D) 0 mA
#1109614
34 由電阻R1、R2、Rf和理想運算放大器組成的加權加法器(Weighted Summer),如圖所示。其中R1 =9 kΩ,R2=3 kΩ,Rf=9 kΩ。若VO=-3 V,V1=3 V,則V2為多少? (A) 2 V (B) 1 V (C)-1 V (D)-2 V (E)0V
#1109615
35 下圖二極體邏輯電路,其功能為: (A)及閘(AND gate) (B)或閘(OR gate) (C)非及閘(NAND gate) (D)非或閘(NOR gate)
#1109616
36 圖中電路之輸入阻抗RI為: (A)RE (B)(1+β)RE (C)rπ+(1+β)RE (D) 2rπ+(1+β)RE
#1109617
37 一個N通道空乏型MOSFET,VGS(off)=-4 V,IDSS=8 mA,則當VGS=0 V時,ID為: (A) 16 mA (B) 8 mA (C) 4 mA (D) 2 mA
#1109618
38 下列何者是發光二極體(LED, Light Emitting Diode)的符號?
#1109619
39 二極體的起始電壓(Cut-in Voltage)會隨著溫度增高而: (A)增大 (B)不變 (C)減少 (D)先增大後減少
#1109620
40 下圖達靈頓(Darlington)電晶體電路中,β1及β2分別代表Q1及Q2電晶體的電流增益參數,則達靈頓 電晶體的電流增益βD約為何? (A)βD=(β1β2) / (β1+β2) (B)βD=β1+β2(C)βD=β1β2 (D)βD=β1 / β2
#1109621
相關試卷
115年 - 115 初等考試_電子工程:電子學大意#136710
2026 年 · #136710
114年 - 114 初等考試_電子工程:電子學大意#124880
2025 年 · #124880
113年 - 113 初等考試_電子工程:電子學大意#118527
2024 年 · #118527
112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362
2023 年 · #118362
112年 - 112 鐵路、國家安全情報特種考試_佐級、五等_電子工程、電子組:電子學大意#114944
2023 年 · #114944
112年 - 112 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#113943
2023 年 · #113943
112年 - 112 初等考試_電子工程:電子學大意#112891
2023 年 · #112891
111年 - 111 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#112600
2022 年 · #112600
111年 - 111 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#108515
2022 年 · #108515
111年 - 111 初等考試_電子工程:電子學大意#105667
2022 年 · #105667