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112年 - 112 台灣電力公司_大學及研究所獎學金甄選試題_電驛:電路學及電子學#129470
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30.下列何者不是理想運算(OP)放大器的特性?
(A) 開路增益無窮大
(B) 頻寬無窮大
(C) 輸出阻抗無窮大
(D) 輸入阻抗無窮大
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B1 · 2025/09/08
#6672552
1. 題目解析: 這是一道關於理想運算放...
(共 586 字,隱藏中)
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31.下列有關 MOSFET 的敘述,何者有誤? (A) 閘極與半導體通道是絕緣的 (B) 輸入阻抗非常低 (C) 汲極與源極各自連接較高參雜濃度的材料 (D) 空乏型 MOSFET 的操作與 JFET 類似
#3512957
32.如【圖 9】所示,為一邏輯閘的內部實現電路,A 與 B 為輸入端 點而 C 為輸出端點,此邏輯閘為何? (A) AND 閘 (B) OR 閘 (C) NAND 閘 (D) NOR 閘
#3512958
33.某一差動放大器之差模增益 Ad =20、共模增益 Ac =0.2,其共模拒斥比(CMRR)為多少 dB? (A) 20 (B) 30 (C) 40 (D) 60
#3512959
34.共射極電晶體電路中,射極電流為 5 mA,基極電流為 100 μA,則其電流增益為多少? (A) 50 (B) 51 (C) 41 (D) 49
#3512960
35.霍爾效應(Hall Effect)最主要是用於決定下列何者? (A) 決定半導體為 P 型或 N 型 (B) 決定半導體內的電壓大小 (C) 決定半導體的電流大小 (D) 決定半導體內的磁場大小
#3512961
36.為使一差動放大器之共模拒斥比(CMRR)變大,應如何做調整? (A) 減少基極電阻 (B) 減少射極電阻 (C) 增加集極電阻 (D) 增加射極電阻
#3512962
37.若要將 BJT 作為信號放大元件,則應於下列何種模式中進行操作? (A) 飽和區 (B) 截止區 (C) 順向主動區 (D) 逆向主動區
#3512963
38.如【圖10】所示,為一個 R-L-C 帶通濾波器,當 R=10 kΩ, L= 0.1 H,中心頻率為 104 rad/s,頻寬為 103 rad/s,求 C 為多 少 uF (微法拉)? (A) 1 (B) 0.1 (C) 0.01 (D) 0.001
#3512964
39.由電晶體組成之振盪器,其必要條件為何? (A) 同時含有電感及電容元件 (B) 具有正回授 (C) 含有負電阻特性之元件 (D) 含有壓電效應之元件
#3512965
40.若一齊納(Zener)二極體在 25 ℃時之崩潰電壓為 15 V,溫度係數為 0.02 (% /℃),若崩潰電壓升 為 15.135 V,當時溫度為多少℃? (A) 70 (B) 60 (C) 45 (D) 35
#3512966
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