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108年 - 108 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#78753
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32. 關於濾波器的敘述,下列何者正確?
(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器
(B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器
(C) RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比
(D) RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比
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統計:
A(132), B(50), C(18), D(17), E(0) #2057585
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/07
私人筆記#7619942
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33. 如【圖4】所示,假設Q1、Q2電晶體之參數完全相同,且電晶體之基極電流可忽略不計, VT= 25 mV,試求電路之小訊號電壓增益約為何? (A) -132 (B) 101 (C) -68 (D) 56
#2057586
34. 如【圖5】所示,假設經由小訊號分析得知Z1 = 2 MΩ,則其電流增益約為何? (A) 1,000 (B) 1,200 (C) 3,200 (D) 4,800
#2057587
35. 有關場效電晶體FET之敘述,下列何者正確? (A)不適合雙向開關使用 (B)抵補電壓(Offset Voltage)極高 (C)不適合作超大型積體電路 (D)輸入阻抗極高
#2057588
36. 下列敘述何者有誤? (A) MOSFET電晶體為單極性(Unipolar)電晶體 (B) MOSFET電晶體為一種電流控制元件 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體的閘極輸入阻抗小 (D) BJT電晶體為雙極性(Bipolar)電晶體
#2057589
37. 如【圖6】所示,VD = 15 V,VGS = -3 V,則Rs為何? (A) 1.5 kΩ (B) 2 kΩ (C) 3 kΩ (D) 4.5 kΩ
#2057590
38. 如【圖7】所示,若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2 V,閘源極間電壓VGS = 4 V時 ,其汲極電流ID(on) = 20 mA,則此電路之汲源極間電壓VDS及汲極電流ID分別約為何? (A) 3.4 V、18.4 mA (B) 4.3 V、18.4 mA (C) 5.4 V、15.3 mA (D) 4.5 V、15.3 mA
#2057591
39. 如【圖8】所示,若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應,fL 與 fH 分別為低頻與高頻 截止頻率,則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成? (A)雜散電容 (B)極間電容 (C)分佈電阻 (D)耦合電容
#2057592
40. 如【圖9】所示,RG= 10 kΩ,RD= 5 kΩ,若JFET之rds= 20 kΩ,gm= 1.5(mA/V),電壓增益 為何? (A) -2 (B) -4 (C) -6 (D) -8
#2057593
41. 如【圖10】所示JFET共源極放大電路,若JFET之轉移電導gm = 2 (mA/V),輸出電阻 rd = 40 kΩ,則放大電路的電流增益 為何? (A) -200 (B) -250 (C) -400 (D) -500
#2057594
42. 如【圖11】所示,若JFET的轉移電導gm = 4 (mA/V),不考慮汲極輸出電阻時,則輸出電阻Zo 為何? (A) 100 Ω (B) 200 Ω (C) 250 Ω (D) 1000 Ω
#2057595
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