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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 身心障礙特種考試_五等_電子工程:電子學大意#47167
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33 已知一個全波整流器的輸入電源為 60 Hz,設計輸出尖峰電壓為 10 V,負載阻抗為 10 kΩ,如要求輸出電壓 漣波要小於 0.2 V,則其並聯電容至少要大於:
(A) 83.4 µF
(B) 41.7 µF
(C) 31.3 µF
(D) 20.8 µF
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統計:
A(14), B(25), C(9), D(1), E(0) #1215424
詳解 (共 2 筆)
國考生
B1 · 2019/05/13
#3344895
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/12/07
#7206139
你好!這是一道關於電子學中全波整流濾波電...
(共 2408 字,隱藏中)
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相關試題
34 今將二極體(diode)視為一理想開關,其特性曲線如圖 2 所示,其中端電壓的參考極性以及電流的參考方 向如各圖所標示。 為:現有一組二極體電路如圖 3 所示,則估此電路的輸出輸入關係(transfer characteristic)最接近的曲線
#1215425
35 右列 FET 電路操作於何種區域? (A)截止區 (B)線性區 (C)飽和區 (D)崩潰區
#1215426
36 假設使用理想的電容,並將二極體(diode)視為一 理想開關,今輸入交流信號 vi = 10 sin(ωt) V,則右列 電路圖的輸出電壓 vo在穩態(steady state)時最為接 近的電壓值為: (A) 20 V (B) 15 V (C)-15 V (D)-20 V
#1215427
37 在下列 MOSFET 放大器組態中,何者之電壓增益 Av 為最小? (A) CS 放大器 (B) CG 放大器 (C) CD 放大器 (D)疊接(cascode)放大器
#1215428
38 pn 接面二極體的逆向飽和電流 Is,隨 pn 兩側雜質濃度的增大而有何變化? (A)增大 (B)減小 (C)無關 (D)視半導體之材質而定
#1215429
39 若 Vt為臨限電壓(threshold voltage),則 n 通道增強型(enhancement type)場效應電晶體在何種條件下是 在飽和區(saturation region)下操作? (A) vGS ≤ Vt (B) vGS ≥ Vt (C) vDS ≤ vGS - Vt (D) vDS ≥ vGS - Vt
#1215430
40 在 MOSFET 之各參數已確定的情況下,當工作於飽和區(saturation region)時,其跨導 gm 與汲極電流 ID 之間的關係為何? (A) gm正比於 ID (B) gm正比於(1/ID) (C) gm正比於(ID) 1/2 (D) gm正比於(ID) -1/2
#1215431
1. During last year’s financial crisis, many companies went 1 and the economy was badly affected. (A) berserk (B) bankrupt (C) cold turkey (D) away
#1215432
2. The salaries of top level 2 are often many times those of the low level employees. (A) executives (B) flagships (C) functionaries (D) service men
#1215433
3. 3 on how one uses it, music can stimulate as well as heal. (A) Revealing (B) Depending (C) Discussing (D) Found
#1215434
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