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初等/五等/佐級◆電子學大意
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97年 - 97 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22359
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34 逆向偏壓的 pn 接面,其接面電容隨該逆向偏壓的增大有何變化?
(A)增大
(B)減小
(C)無關
(D)視半導體之材質而定
答案:
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統計:
A(7), B(23), C(2), D(0), E(0) #852662
詳解 (共 1 筆)
ken liu
B1 · 2018/10/22
#3042999
外加逆向偏壓 產生過度電容,電容量與電壓...
(共 49 字,隱藏中)
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#852663
36 假設在室溫之下,矽半導體之本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)ni為 1010 cm-3 ,若已知某一矽半 導體之電子濃度為 2× 1017 cm-3 ,則其電洞濃度為何? (A) 2× 1017 cm-3 (B) 2× 1027 cm-3 (C) 2× 107 cm-3 (D) 5× 102 cm-3
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38 現代 MOSFET 積體電路技術對於晶片面積甚為計較,因此在設計類比放大器時最常採用的偏壓(biasing) 電路技術是那一種電路?
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39 MOSFET 中厄利效應(Early Effect)最主要之成因為何? (A)基板和閘極之間的 p-n 接面 (B)閘極和源極之間空乏區互相影響 (C)通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 (D)崩潰效應
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#852672
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