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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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101年 - 101 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#18080
> 試題詳解
37. 如圖(二十一)所示電路,若V
Z
= 4V ,則稽納二極體的消耗功率為多少?(不考慮稽納二極體 的電阻)
(A) 120mW 圖(二十一)
(B) 240mW
(C) 360mW
(D) 480mW
答案:
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統計:
A(4), B(12), C(42), D(8), E(0) #668432
詳解 (共 1 筆)
gtom0915
B1 · 2019/07/09
#3470341
I100Ω=(15-4)/0.1K=11...
(共 77 字,隱藏中)
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38. 如圖(二十二)所示電路,若不考慮二極體的順向電阻,二極體的障壁電壓為 0.75V,試求 二極體的電流 ID 大小為何? (A) 0mA 圖(二十二) (B) 1mA (C) 2mA (D) 3mA
#668433
39. 下列何種摻雜的改變行為,可增加 BJT 電晶體的電流增益 β? (A) 基極與射極摻雜濃度均降低 (B) 基極與射極摻雜濃度均增加 (C) 基極摻雜濃度增加與射極摻雜濃度降低 (D) 基極摻雜濃度降低與射極摻雜濃度增加
#668434
40. 下列敘述何者有誤? (A) BJT 當開關使用時是工作於飽和區或截止區 (B) BJT 當放大器使用時是工作於主動區 (C) BJT 在主動區的偏壓方式是 BE 接面順向偏壓,BC 接面逆向偏壓 (D) BJT 在飽和區的偏壓方式是 BE 接面逆向偏壓,BC 接面逆向偏壓
#668435
41. 下列對於JFET的特性敘述何者正確? (A) VGS接近截止( cut- off)電壓時,汲極與源極間的崩潰電壓比在 VGS=0V 時為大 (B) 在室溫附近,溫度愈高時,有較小的汲極電流 (C) 通道寬度愈窄,夾止 ( pinch-off)電壓愈大 (D) P 通道接面場效電晶體的高電位在汲極端
#668436
42. 如圖(二十三)所示電路,場效電晶體之參數為:臨界電壓(threshold voltage )VT =2.0V, k=2mA/V2 。求 IDS為何? (A) 8mA 圖(二十三) (B) 4mA (C) 2mA (D) 0mA
#668437
43. 如圖(二十四)之電路,假設 RC 值遠大於輸入信號 vs(t)之週期,D 為理想二極體,試問 輸出電壓 vo(t) 之直流準位為何? (A) 0V 圖(二十四) (B) −5V (C) −10V (D) −15V
#668438
44. 如圖(二十五)所示之電路,假設 VBE( on )=0.7V,β=80,試問 VCE約為下列何值? (A) 1.4V 圖(二十五) (B) 3.4V (C) 5.4V (D) 7.4V
#668439
45. 如圖(二十六)所示之電路,β=120。假設 L1為原先之直流負載線(load line ),Q1 為原先 之直流工作點。若只改變 RC 值,欲使得直流負載線由 L1變成 L2 ,試問 RC 值需變為下列 何值? (A) 0.50kΩ (B) 0.75kΩ (C) 1.00kΩ (D) 1.25kΩ
#668440
46. 如圖 ( 二十七 ) 所示之電路, R1= 100 Ω, Is 為理想電流源,β = 100, 熱電壓(thermal voltage)VT =26mV,歐力電壓(Early voltage)VA =∞。若 Rout =3Ω,則 Is 值 為何? (A) 3.93mA 圖(二十七) (B) 6.93mA (C) 9.93mA (D) 12.93mA
#668441
47. 如圖(二十八)所示之電路,假設所有二極體皆為理想二極體,試問輸出電壓 vo(t)之平均電壓值 為何? (A) 3V 圖(二十八) (B) −3V (C) 7V (D) −7V
#668442
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