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112年 - 112 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#116963
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4. 下列何種振盪器之頻率穩定性最高?
(A) RC相移振盪器
(B)石英晶體振盪器
(C)考畢子振盪器
(D)韋恩電橋振盪器
答案:
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統計:
A(1), B(59), C(3), D(3), E(0) #3160233
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/11/05
#7026639
1. 題目解析 題目要求我們選擇四種不同...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/10/31
私人筆記#7529750
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5. 在交流放大器之輸出級,下列何者型態的阻抗匹配特性最佳? (A)共基極放大器 (B)共射極放大器 (C)共集極放大器 (D)共源極放大器
#3160234
6. 一般橋式整流器中,須使用幾個二極體? (A) 4個 (B) 3個 (C) 2個 (D) 1個
#3160235
7. 有關負回授特性,下列何者正確? (A)使增益對任何變動更敏感 (B)增加雜訊效應 (C)縮減頻寬 (D)減少非線性失真
#3160236
8. 有關一個疊接放大器結構的描述,下列何者有誤? (A)輸入級為共射極 (B)輸出級為共基極 (C)提供較大的頻寬 (D)主要目的在提高電流增益
#3160237
9. 如右圖所示,直流工作點設置於VGS = -1.75 V, VDS = 6 V,ID = 2.5 mA,則 Rs 值為何?(A) 1 kΩ (B) 1.5 kΩ (C) 2 kΩ (D) 2.5 kΩ
#3160238
10. N通道增強型場效應電晶體(簡稱 MOSFET )的臨界電壓VT = 3 V,若電路中的VGS = 4 V時, ID = 2 mA,且MOSFET工作於飽和區,則 MOSFET 交流小信號模型中的轉移電導 gm 為何? (A)1 mS (B) 2 mS (C) 3 mS (D) 4 mS
#3160239
11. 有一電晶體,當偏壓於作用區,測得 IB = 0.05 mA、IE = 5 mA,則此電晶體的 α 值為何? (A) 0.99 (B) 99 (C) 100 (D) 101
#3160240
12. 有關以運算放大器組成之韋恩電橋振盪器之描述,下列何者正確? (A)正回授電路是LC電路 (B)負回授電路是電阻組成之分壓電路 (C)正回授電路的相移為 90度 (D)正回授量小於負回授量
#3160241
13. 一個工作在主動模式之BJT,其爾利電壓( Early Voltage )為25 V,IC= 2.5 mA,則其輸出電阻 r0 值為何? (A) 0.1 kΩ (B) 1 kΩ (C) 10 kΩ (D) 100 kΩ
#3160242
14. 電晶體在作用區的偏壓電路如右圖所示, 若電晶體的共射極電流增益β為100, 基極電流為100 μA,下列何者正確?(A)集極電流為 10 mA (B)集極電流為 50 mA (C)集極電流為 100 mA (D)集極電流為 200 mA
#3160243
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