40.碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)被稱為寬能隙(Wide Bandgap)半導體，相較於傳統矽(Si)元件，下列 何者非屬於其主要特性？
(A)更高的崩潰電壓
(B)更高的熱導率與耐高溫能力
(C)較長的逆向恢復時間(Reverse Recovery Time)
(D)較快的切換速度

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