48. 下列有關感應偶合電漿原子發射光譜法(ICP-AES)應用的敘述，何者正確？
(A) 無法同時測定多種元素
(B) 經由電漿偶合產生激發態
(C) 僅能分析鹼金屬或鹼土金屬元素
(D) 主要干擾型態為化學干擾

49. 下列何者無紅外光的吸收？ (A) CH4 (B) CHCl3 (C) CH3OH (D) O2

50. 氘燈適用於下列何種光譜範圍？ (A) 可見光區 (B) 紫外光區 (C) 近紅外光區 (D) 中紅外光區

1 如圖所示為臨界電位比較器，已知其電源電壓為±15 V，則使輸出改變狀態之 Vin轉折電壓為何？ (A)+5 V (B)-5 V (C)+15 V (D)-15 V

2 下列關於理想運算放大器的輸出特性，何者錯誤？ (A)零共模增益(B)無限大共模拒斥(C)常用為差動輸入(D)常用為交流耦合

3 一使用理想運算放大器的微分電路，當 RC 乘積值變大時，其輸出相對輸入之相位移為何？ (A)變大 (B)變小 (C)保持-90°不變 (D)保持-180°不變

4 如圖所示之電路，其邏輯函數為下列何者？ 

5 有一邏輯閘電路設計如左圖所示，設 PMOS、NMOS 的電流—電壓（I-V）特性一樣，只是偏壓極性 相反，亦即臨界電壓（Threshold Voltage）絕對值相同，且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已 知此電路的轉移特性（Voltage transfer characteristic）曲線如右圖所示，試研判在曲線 A 點兩電晶體 MP1、MN1 的工作狀態。 (A)電晶體 MP1 的工作狀態為截止（Cut-off）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (B)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為截止（Cut-off）區 (C)電晶體 MP1 的工作狀態為三極管（Triode）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區 (D)電晶體 MP1 的工作狀態為飽和（Saturation）區、電晶體 MN1 的工作狀態為飽和（Saturation）區

6 在一般 MOSFET 元件中，為何閘極電流幾乎為零？ (A)因為有閘絕緣層在通道上方(B)因為有空乏區在通道上方 (C)因為閘極反偏(D)因為元件靠電壓驅動

7 雙極性接面電晶體中，收集多數載子的電極稱為： (A)源極(B)基極(C)集極(D)閘極

8 一個理想二極體，在逆向偏壓時： (A)電流為零(B)電壓為零(C)電阻為零(D)電容為零

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