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公職◆牙體技術學(二)
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106年 - 106-2 專技高考_牙體技術師:牙體技術學(二)(包括固定義齒技術學科目)#64004
> 試題詳解
50 以氧化鋯作薄蓋冠時,在最後烘烤完畢,常出現薄蓋冠的邊緣容易露出支架本身的色調,其主要原 因為何?
(A)熱膨脹係數的差異
(B)破裂韌性大
(C)保溫性高
(D)結晶構造轉移
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統計:
A(344), B(53), C(329), D(146), E(0) #1645181
私人筆記 (共 1 筆)
only183729
2018/07/08
私人筆記#916427
未解鎖
不見得全是熱膨脹係數的問題,因為氧化鋯熱...
(共 63 字,隱藏中)
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51 氧化鋯薄蓋冠燒瓷過程,下列何種瓷的燒成溫度最低? (A)不透光瓷(opaque porcelain) (B)效果色瓷(effect porcelain) (C)釉粉(glazing powder) (D)追加修正瓷(add on porcelain)
#1645182
52 氧化鋁與氧化鋯陶瓷的比較,下列敘述何者正確? (A)在相同的荷重力量時,氧化鋁比氧化鋯容易變形 (B)熱傳導性的比較:氧化鋁 >氧化鋯 (C)折射率的比較:氧化鋁 >氧化鋯 (D)在自然光下,氧化鋁比氧化鋯白
#1645183
53 全陶瓷使用的燒結瓷裡的金屬氧化物顏色,下列何者正確? (A)氧化鈦:青色 (B)氧化鎳:灰色 (C)氧化鐵:白色 (D)氧化鈷:褐色
#1645184
54 有一非矽底陶瓷支架的熱膨脹係數為 12×10-6 k-1,其配合的專用瓷熱膨脹係數應為何? (A)9.5×10-6 k-1 (B)11. 5×10-6 k-1 (C)13. 5×10-6 k-1 (D)15. 5×10-6 k-1
#1645185
55 關於全陶瓷用瓷的使用注意事項,下列敘述何者錯誤? (A)氧化鋁支架的燒結瓷其白榴石結晶的配合量比氧化鋯支架的燒結瓷多 (B)在氧化鋯支架上堆瓷時,充分的填壓(condense)可以減緩鑲面型式(veneer type)的前牙切緣側 往唇側面方向傾斜 (C)金屬支架和燒結瓷的結合力機制與全瓷冠支架和燒結瓷的結合力機制不盡相同 (D)全陶瓷的支架在燒瓷時比金屬需要更多的熱能
#1645186
56 使用白矽石(cristobalite)包埋材時,其融解溫度為 1100℃以下的金屬在鑄造時,鐵環的預備加熱溫 度(時間),下列何者最佳? (A)200℃(3 分鐘),接著 400℃(3 分鐘) (B)100 ℃(9 分鐘),接著 300℃(9 分鐘) (C)200℃(30 分鐘),接著 400℃(30 分鐘) (D)100 ℃(20 分鐘),接著 300℃(20 分鐘)
#1645187
57 關於冠心(core)製作,下列敘述何者正確? (A)臼齒區咬合壓接受較多非垂直向的力量,材料要慎選 (B)前牙區使用 20 K 以上金合金來製作金屬冠心,硬度最硬 (C)纖維根柱在與複合樹脂堆築前操作時須用手指接觸固定 (D)臼齒區當根管平行性欠缺時,可分割金屬冠心分別鑄造
#1645188
58 關於暫時性牙冠牙橋的目的,下列敘述何者錯誤? (A)保護齒質與牙周組織 (B)防止支柱牙污染及移動 (C)刺激口水分泌 (D)阻隔外來刺激
#1645189
59 關於築蠟(wax up),下列敘述何者錯誤? (A)蠟的分離劑以酒精(alcohol)系為最佳 (B)使用軟化壓接法(pattern forming technique by softened wax)最大的缺點是蠟型內面容易產生皺紋 (C)使用雕刻法(carving technique)時,如果加諸蠟型太大的力量會導致變形 (D)蠟錐體技術(wax cone technique)由EV. Payne 確立
#1645190
60 包埋時,關於鑄道植立的注意事項,下列敘述何者正確? (A)位置在咬合面最佳 (B)蠟型與鑄造環底面間的距離約 6~8 mm (C)鑄道的角度常常與齒冠軸垂直 (D)鑄道針的使用以實心多邊柱形為佳
#1645191
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