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初等/五等/佐級◆勞工行政與勞工法規大意
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106年 - 106 初等考試_勞工行政:勞工行政與勞工法規大意#59473
> 試題詳解
50 依照職業災害勞工保護法,職業疾病鑑定委員會認有必要時,得由中央主管機關安排職業疾病鑑定委員, 會同何人至勞工工作場所檢查?
(A)雇主
(B)勞工
(C)工會
(D)勞動檢查員
答案:
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統計:
A(67), B(15), C(36), D(917), E(0) #1510428
詳解 (共 2 筆)
sagenitic
B1 · 2017/02/06
#1611073
第
17
條(工作現場之檢查)
.
職業疾病鑑定委員會認有必要時,得由中央主管機關安排職業疾病鑑定委員,依
勞動檢查法
會同
勞動檢查員
至勞工工作場所檢查。
12
0
蕭瑋翔
B3 · 2017/11/07
#2478668
依據職業災害勞工保護法第17條規定:職業...
(共 77 字,隱藏中)
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10
0
相關試題
1 如圖所示之場效電晶體電路,則此電晶體工作在: (A) 飽和區(Saturation Region) (B)截止區(Cutoff Region) (C)三極管區(Triode Region) (D)主動區(Active Region).
#1510429
2 在積體電路中,電流源常又具何功用? (A)被動負載 (B)緩衝器 (C)主動負載 (D)整流器
#1510430
3 場效電晶體之本體效應(Body effect)是討論: (A) 本體(Body)的電壓可控制汲極(Drain)電流 (B)本體(Body)的電流可控制閘極(Gate)電流 (C)汲極(Drain)的電流可控制本體(Body)電流 (D)閘極(Gate)的電壓可控制本體(Body)電壓
#1510431
4 如圖所示為理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ± 12 V,二極體導通時兩端電 壓為 0.7 V,輸入電壓 VI 為+2 V,則 VA 為若干 V? (A) -2.7 (B)1.3 (C)2.7 (D)+12
#1510432
5 如圖所示一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚 度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 |Vth| = 0.5 V 。VD1 = 2 V,VD2 = -2 V,VD = 2 V, VE = -2 V。若 VE 由-2 V 增加到-3 V,試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值|Vth|如何變化? (A) |Vth| 增加(B) |Vth |減少 (C) |Vth |不受影響 (D) |Vth| 會受影響,但增加或減少由接面的功函數(work function, φf)決定
#1510433
6 有一運算放大器如圖所示,已知其轉移方程式(transfer function)為 V3 =1002 × V2-998 × V1,請問其 共模電壓增益(common-mode gain)約為多少? (A)6 dB (B)12 dB (C)18 dB (D)24 dB
#1510434
7 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳 v i1、v i2 的電壓波形如圖所示,V CC = 5 V, R1 = R2 = 1 kΩ,R3 = R4 = 100 Ω,CL = 5 μF,電晶體電流增益 βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體 Q1 在時 間點 0 最可能的工作模式: (A)飽和模式(Saturation mode) (B)線性模式(Linear mode) (C)主動模式(Active mode) (D)截止模式(Cut-off mode)
#1510435
8 如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 VDD = 3V,電晶體之 μnCox = 200 μA/V2,W/L = 10,Vth = 0.5 V。 試問電晶體的過驅電壓 VOV 為多少?(A)0.5 V (B)1 V (C)1.5 V (D)3 V
#1510436
9 類比積體電路中,使用差動對放大器,下列何者錯誤? (A)差動對具有寬廣的共模輸入範圍(common-mode range)串級時可避免使用耦合電容 (B)與單電晶體放大器比較,差動對使用兩個電晶體,因此可提供兩倍的轉導 (C)差動對的共模增益遠小於差模增益 (D)差動對電路中元件的不對稱性會產生抵補電壓(offset voltage)
#1510437
10 一個電壓 v 對時間 t 的函數為 v(t) = 10 + 6 sin(2πft)伏特,f = 60 Hz。將此電壓加到一個 1 Ω 的電阻之 上,試問此電阻承受的功率為何? (A)18 W (B)36 W (C)100 W (D)118 W
#1510438
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