51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V，且在 VGS = 4 V 時的飽和 汲極電流為 9 mA，則 VGS = 3 V 時的 ID為何？
(A) 0 mA
(B) 4 mA
(C) 9 mA
(D) 16 mA

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統計： A(8), B(13), C(4), D(1), E(0) #1648065

詳解 (共 1 筆)

#4301607
Id(VGS)=k*(VGS-VT)^2...
(共 80 字，隱藏中）
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