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初等/五等/佐級◆電子學大意
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101年 - 101 初等考試_電子工程:電子學大意#21257
> 試題詳解
7 雙極性接面電晶體(BJT)若作小訊號放大用,則工作於:
(A)截止區(Cut-off Region)
(B)飽和區(Saturation Region)
(C)主動區(Active Region)
(D)截止區和飽和區
答案:
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統計:
A(5), B(22), C(161), D(4), E(0) #814485
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/01
#2164211
工作區的用途截止區:邏輯電路 (OFF)...
(共 54 字,隱藏中)
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8 如圖所示的電路為何種邏輯閘? (A) NOR (B) OR (C) NAND (D) AND
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9 假設電晶體的IB = 20 μA及IC = 2 mA,已知熱電壓(Thermal Voltage)VT = 25 mV,則中頻電晶體小 訊號模型的rπ及gm分別約為: (A) 1.25 kΩ、80 mA/V (B) 2.5 kΩ、100 mA/V (C) 3 kΩ、120 mA/V (D) 4 kΩ、150 mA/V
#814487
10 若圖中電晶體的VBE = 0.7 V,β= 100,則IE之值約為: (A) 2.52 mA (B) 1.43 mA (C) 1.05 mA (D) 0.83 mA
#814488
11 下列何者為能正常工作的數位電路參數? (A)VOH = 3.2 V、VIH = 1.8 V、VOL = 0.3 V、VIL = 0.8 V (B)VOH= 1.8 V、VIH = 3.2 V、VOL = 0.3 V、VIL = 0.8 V (C)VOH = 1.8 V、VIH = 3.2 V、VOL = 0.8 V、VIL = 0.3 V (D)VOH = 3.2 V、VIH = 1.8 V、VOL = 0.8 V、VIL = 0.3 V
#814489
12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓 |Vt| = 3 V,欲使之導通,則閘極和源極間的電壓VGS應加何種偏壓 ? (A) 0 V (B) 2 V (C) 4 V (D)-4 V
#814490
13 一N通道增強型MOSFET的Vt = 1 V,μncox(W/L) = 1 mA/V2 ,則工作點在ID = 0.5 mA,VGS = 3 V時的互 導gm之值約為: (A) 2 mA/V (B) 4 mA/V (C) 6 mA/V (D) 8 mA/V
#814491
14 雙極性接面電晶體(BJT)共射極接線組態時,射極-地間的電阻常並聯一電容,此電容之目的為: (A)改善電壓增益 (B)降低射極的直流電壓 (C)升高射極的直流電壓 (D)濾除雜訊
#814492
15 下列何種記憶體需要更新(Refresh)的動作? (A)快取記憶體(Cache) (B)靜態隨機存取記憶體(SRAM, Static Random-Access Memory) (C)唯讀記憶體(ROM, Read Only Memory) (D)動態隨機存取記憶體(DRAM, Dynamic Random-Access Memory)
#814493
16 雙極性接面電晶體(BJT)中,下列何種電路組態其小訊號輸出阻抗為最低? (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態
#814494
17 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β(= Ic/Ib)為 100,以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的輸入阻抗Zi(= Vi/Ii)約為多少? (A) 560 kΩ (B) 37 kΩ (C) 22 kΩ (D) 2 kΩ
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