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104年 - [無官方正解]104 國立嘉義大學_光電暨固態電子碩士班招生考試試題_電子物理學系:電子學#146062
> 試題詳解
7. 如圖二運算放大器電路,其輸入電壓 V
i
=5 mV,則輸出電壓為
(A) 50 mv
(B) -50 mV
(C) 40 mV
(D) -40 mV。
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8. 圖三的電晶體工作於主動區,若 VBE = 0.7 V,則 RB 為(A)37.2 kΩ (B)47.2 kΩ (C)27.2 kΩ (D)17.2 kΩ。
#4062075
9. 電晶體的歐萊效應(Early effect)是因為當 B–C 接面逆向偏壓增加時,何者有誤?(A)空乏區增大 (B)有效寬度 WB 增大 (C) α 略增 (D) β 略增。
#4062076
10. 有關 MOSFET 之敘述,下列何者錯誤?(VGS 為閘極至源極之電壓)(A)空乏型 MOSFET 本身結構中並無通道存在(B)欲關掉空乏型 n 通道 MOSFET 其 VGS 要接負電壓(C)增強型 p 通道 MOSFET 其 VGS 若接正電壓則無法建立通道(D)增強型 p 通道 MOSFET 之臨界電壓(VT)值為負。
#4062077
11. 擴散電流之產生乃是 (A)半導體內載子濃度不同 (B)半導體內出現外加電壓 (C)半導體內出現溫度差 (D)以上皆非。
#4062078
12. 當 P 型及 N 型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而 N 型半導體之空乏層內應有(A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子 。
#4062079
13. 如圖四所示電路,稽納二極體的崩潰電壓為 6V,則IZ 為多少?(A)0.05A (B)0.1A (C)0.25A (D)0.5A 。
#4062080
14. NPN 電晶體電路中,電源電流由(A)基極流向集極 (B)射極流向集極 (C)射極流向基極 (D)基極流向射極。
#4062081
15. 如圖五之電路,若兩電晶體之特性一樣,VCC>>VBE,,RC=R2,則 Vo 約等於(A)VCC (B) (C) (D)。
#4062082
16. 在電晶體三種組態電路中,哪一種組態電流增益最高?(A)共射極放大電路 (B)共集極放大電路 (C)共基極放大電路 (D)共汲極放大電路。
#4062083
17. 電晶體 CE 放大電路,加入射極電阻而不加旁路電容可以(A)提高輸入阻抗 (B)降低輸出阻抗 (C)降低輸入阻抗 (D)增加非線性失真。
#4062084
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