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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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107年 - 107 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#68917
> 試題詳解
8. 下列有關 BJT 電晶體偏壓電路之敘述,何者正確?
(A) 當電晶體未飽和時,β 值會隨工作溫度上升而變小
(B) 具射極電阻之分壓式偏壓電路,工作點 IC易隨 β 變動
(C) 集極回授式偏壓電路之基極電阻具正回授特性
(D) 射極回授式偏壓電路之射極電阻具負回授特性
答案:
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統計:
A(10), B(14), C(25), D(120), E(0) #1788256
詳解 (共 1 筆)
gtom0915
B1 · 2019/07/03
#3457016
(1)T↑ ,β ↑ ;(2)ICQ幾乎...
(共 65 字,隱藏中)
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5 有關雙極性接面電晶體偏壓電路之敘述,下列何者正確?(A)當電晶體未飽和時,β 值會隨工作溫度上升而變小 (B)具射極電阻的分壓式偏壓電路,工作點 IC 易隨 β 值變動 (C)集極回授式偏壓電路的基極電阻具正回授特性 (D)射極回授式偏壓電路的射極電阻具負回授特性
#3792458
9. 如圖(四)所示之集極回授偏壓電路,VCC =12V,VBE =0.7V,電晶體 β=150,RC =1 kΩ, 若 VCE =6V,則RB約為何? (A) 45.5 kΩ (B) 78.5 kΩ (C) 133.4 kΩ (D) 160.4 kΩ
#1788257
10. 如圖(五)所示之電晶體電路,VBE =0.7V,電晶體 β=50,熱電壓(thermal voltage )VT=26 mV。若正弦波輸入電壓 Vi 的平均值為零,且電晶體操作於主動區,則電壓 Vo 的平均值 為何? (A) 13.58V (B) 12.43V (C) 10.58V (D) 8.75V
#1788258
11. 如圖(六)所示之電晶體電路,VBE =0.7V,VT=26mV,則此電路小信號電壓增益 vo / vi約 為何? (A) – 100 (B) – 80 (C) 80 (D) 100
#1788259
12. 如圖(六)所示之電路,VBE=0.7V,VT=26mV,則此電路小信號電流增益∣io/ii∣約為何? (A) 1.2 (B) 0.49 (C) 0.31 (D) 0.25
#1788260
13. 某一串級放大電路之各級電壓增益值分別為100、10及1 倍,若不考慮各級負載效應,則 其總電壓增益分貝( dB)值為何? (A) 20 dB (B) 60 dB (C) 100 dB (D) 111 dB
#1788261
14. 有一個單級放大器,其低頻截止頻率為 f L = 1 kHz,高頻截止頻率為 f H = 200 kHz,若將 兩相同之此種放大器串接成兩級放大器,則此串接放大器的頻帶寬度約為何?( 提示: √ 0.414≒0.64 ) (A) 199 kHz (B) 156.25 kHz (C) 126.44 kHz (D) 105.62 kHz
#1788262
15. 如圖(七)所示之JFET電晶體電路,已知該電晶體截止電壓VGS(off) = – 5V,直流閘源極電壓 VGS = –4V時,ID =0.5mA,則R1 /R2值為何? (A) 0.5 (B) 1 (C) 2 (D) 4
#1788263
16. 如圖(八)所示之 MOSFET電晶體電路,該電晶體之臨界電壓(threshold voltage )Vt = 4V, 參數K=0.5mA/V 2,電路操作於飽和區工作點之 ID =2mA,則此工作點之 VGS為何? (A) 8V (B) 6V (C) 4V (D) 2V
#1788264
17. 某工作在夾止區的 N 通道 JFET 電晶體,直流工作點之閘源極電壓 VGS = – 2 V,汲極電流 ID =3 mA 時,互導 g m = 3 mA / V。若直流閘源極電壓 V GS變動至 0 V 時,則其對應的互導 為何? (A) 2mA/V (B) 4mA/V (C) 6mA/V (D) 8mA/V
#1788265
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