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108年 - 108 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#78753
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8. 在未加壓情況下,PN接面的空乏區內,主要含有下列何者?
(A)正離子與負離子
(B)電子與電洞
(C)電子
(D)電洞
答案:
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統計:
A(215), B(58), C(4), D(4), E(0) #2057561
詳解 (共 1 筆)
邱崇宇
B1 · 2019/09/28
#3595728
因在接面P型半導體的部分受體離子NA(負...
(共 147 字,隱藏中)
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/07
私人筆記#7618877
未解鎖
✅ 解題解析:PN 接面空乏區的主要成...
(共 313 字,隱藏中)
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相關試題
9. 若PN接面的空乏區兩側,P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同,濃度較高者,該 側空乏區寬度將如何變化? (A)較窄 (B)相同於另一側 (C)較寬 (D)無法比較
#2057562
10. 一般雙極接面電晶體(BJT)其基極(B)、集極(C)與射極(E)的摻雜濃度由大至小依序為何? (A) B > C > E (B) B > E > C (C) E > C > B (D) E > B > C.
#2057563
11. 如右圖所示之電路,理想稽納二極體VZ= 15 V, 若 Vi= 20 V,則V0為何? (A) 10 V (B)12 V (C) 15 V (D) 20 V
#2057564
12. 如右圖所示之電路,Vi= 110sin(377t),輕載且正常 工作時,則下列敘述何者正確? (A) Vo漣波大小和L值無關 (B) L值越小及C2值越小,Vo漣波越小 (C) L值越大及C2值越大,Vo漣波越小 (D) Vo漣波大小和C2值無關
#2057565
13. 一般常用NPN BJT與PNP BJT之工作頻率,下列敘述何者正確? (A)工作頻率完全相等 (B)無法比較 (C) PNP BJT工作頻率高於NPN BJT (D) NPN BJT工作頻率高於PNP BJT
#2057566
14. 利用BJT作小信號的線性放大器,為避免輸出信號失真情形,必須施加適當的偏壓使工作點 (Operating Point)落在何區域內? (A)作用區(Active Region)與飽和區(Saturation Region)交界 (B)作用區(Active Region)內 (C)截止區(Cut-off Region)內 (D)飽和區(Saturation Region)內
#2057567
15. 對於需要具備低輸入阻抗及高輸出阻抗,卻不要求高電流增益的電路而言(如電流緩衝器), 最適合採用下列哪一種形式之電晶體放大電路? (A)共基極放大電路 (B)共集極放大電路 (C)無射極電阻之共射極放大電路 (D)有射極電阻之共射極放大電路
#2057568
16. 若BJT之β=1000,VBE=0.7 V,則VCE 約為何? (A) 2.5 V (B) 3.2 V (C) 4.3 V (D) 6.4 V
#2057569
17. 承第16題,假設不考慮VA (Early Effect)效應,其電壓增益約為何? (A) 0.1 (B) 1.5 (C) 10 (D) 50
#2057570
18. 某N通道接面型場效電晶體(JFET)之夾止電壓(Pinch-Off Voltage) Vp= -4 V且源極電壓Vs= 0 V ,則下列何者情況下,電晶體可工作於飽和區? (A) VG= -5 V,VD=1 V (B) VG= -2 V,VD=1 V (C) VG= 0 V,VD=0 V (D) VG= 0 V,VD=5 V
#2057571
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