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高中技藝◆數位電子
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113年 - 113 全國高級中等學校學生技藝競賽考試_工業類:數位電子#138120
> 試題詳解
8. 如圖(五)所示，假設電晶體工作在主動放大區，求此電路之I
C
/I
B
比值約為何？
(A) 99
(B) 109
(C) 131
(D) 153
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9. 如圖(六)所示之電晶體放大器，假設RB = 200 kΩ，RE= 1 kΩ，β = 99，且小信號 電阻rπ = 1 kΩ，求此放大器之輸出阻抗RO為何？ (A) 9.9 (B) 500 (C) 1 k (D) 200 k
#3843669
10. 如圖(七)所示之電晶體放大器交流等效電路，假設RS = 1 kΩ，RB = 10 kΩ，RC =2 kΩ，rπ = 2 kΩ，gm = 10 mA/V 且rO = 20 kΩ。求電壓增益vO/vS為何？ (A) −9.2 V/V (B) −11.4 V/V (C) −15.6 V/V (D) −28.3 V/V
#3843670
11. 已知一串級放大器之總功率增益APT = 30 dB，輸入阻抗Ri = 2 kΩ，輸出阻抗RO =80 kΩ，則此放大器之總電流增益AiT為何？ (A) 5 A/A (B) 25 A/A (C) 30 A/A (D) 40 A/A
#3843671
12. 一個兩級的串級放大器，假設第一級為共射極(CE)放大器且第二級為共基極(CB)放 大器，則此串級放大器呈現的特性為何？ (A) 高電流增益且高輸出阻抗 (B) 低電壓增益且低輸出阻抗 (C) 低電流增益且低輸出阻抗 (D) 高電壓增益且高輸出阻抗
#3843672
13. 已知一 N 通道增強型 MOSFET 工作在夾止飽和區，當VGS = 2 V時，ID = 9 mA，而 當VGS = 2.5 V時，ID= 16 mA。求此 MOSFET 之臨界電壓VGS(t)為何？ (A) 0 V (B) 0.2 V (C) 0.5 V (D) 1 V
#3843673
14. 如圖(八)所示為何種 MOSFET 之iD− vGS特性曲線？ (A) N 通道增強型 (B) N 通道空乏型 (C) P 通道增強型 (D) P 通道空乏型
#3843674
15. 如圖(九)所示之放大器電路，假設 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓VGS(t) = 1 V， 參數k = 0.5 mA/V2，且厄力電壓(Early voltage)VA = ∞，則電壓增益Av約為何？ (A) 0.5 V/V (B) 0.67 V/V (C) 0.9 V/V (D) 20 V/V
#3843675
16. 如圖(十)所示之理想運算放大器(OPA)電路，求輸出電壓vO為何？ (A) 2 V (B) 3 V (C) 4 V (D) 6 V
#3843676
17. 如圖(十一)所示之理想運算放大器(OPA)電路，求此電路之直流增益為何？ (A) −100 V/V (B) −99 V/V (C) +100 V/V (D) +99 V/V
#3843677
18. 如圖(十二)所示之理想運算放大器(OPA)電路，假設 OPA 之飽和輸出電壓為12 V， 則此電路之vO由正飽和輸出變成負飽和輸出之轉態電壓為何？ (A) −4 V (B) −3 V (C) +3 V (D) +4 V
#3843678
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