9.雙極性接面電晶體作為線性放大器操作，需操作何區？
(A)作用(active)區
(B)飽和(saturation)區
(C)飽和區與作用區
(D)飽和區與截止(cut-off)區

10.在雙極性接面電晶體的T型等效電路小信號模型中，若熱電壓 (thermalvoltage)VT=26mV，工作點的直流射極電流IEQ=2mA，則射極交流電阻re為： (A)200Ω  (B)130Ω  (C)20Ω  (D)13Ω 

11.兩級串聯放大電路的第一級電壓增益為−25，第二級電壓增益−10， 若輸入交流信號的電壓為2sin(500t)mV，則輸出交流信號的電壓為： (A)600sin(500t)mV (B)500sin(500t)mV (C)400sin(500t)mV (D)300sin(500t)mV

12.在N通道接面型場效應電晶體(JFET)方面，Vp表示夾止電壓，IDSS為汲極飽和電流，VGS為閘極對源極電壓，在夾止區(或定電流區)的汲極電流ID為： (A)\( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}} \left( 1 - \frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}} \right) \) (B)\(I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(2 - \frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)\) (C) \( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(1-\frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)^2 \)(D)\( I_{\text{D}} = I_{\text{DSS}}\left(2-\frac{V_{\text{GS}}}{V_{\text{p}}}\right)^2 \)

13.N通道增強型MOSFET的臨界電壓Vth=3V，閘極對源極電壓VGS=5V， 常數K=0.5mA/V2，則此電晶體的互導gm為： (A)4mS (B)3mS (C)2mS (D)1mS

14.有關場效電晶體(JFET)共汲極放大電路的組態，下列敘述何者正 確？ (A)輸入端為源極(S)，輸出端為汲極，共同點為閘極(G) (B)輸入端為閘極(G)，輸出端為汲極，共同點為源極(S) (C)輸入端為源極(S)，輸出端為閘極(G)，共同點為汲極) (D)輸入端為閘極(G)，輸出端為源極(S)，共同點為汲極

15.在場效應電晶體(JFET)的小信號參數中，△vds為汲極對源極的電壓變動量，△vgs為閘極對源極的電壓變動量，△id為汲極電流的變動量，其汲極與源極間交流電阻(或汲極電阻)rds的定義為： (A)\( r_{\text{ds}} = \frac{\Delta v_{\text{ds}}}{\Delta v_{\text{gs}}} \)，當△id為零  (B)\( r_{\text{ds}} = \frac{\Delta v_{\text{ds}}}{\Delta i_{\text{d}}} \)，當△vgs為零  (C)\(r_{\text{ds}} = \frac{\Delta i_{\text{d}}}{\Delta v_{\text{ds}}}\)，當△vgs為零  (D)\( r_{\text{ds}} = \frac{\Delta v_{\text{gs}}}{\Delta v_{\text{ds}}} \)，當△id為零 

16.有關理想放大器的特性，下列何者正確？ (A)輸入阻抗為零 (B)輸出阻抗為零 (C)開迴路增益為零 (D)頻帶寬度為零

17.運算放大器電路圖如圖(一)所示，若運算放大器為理想特性，輸入電壓vi=2sin(1000t)V，R1=10kΩ ，R2=20kΩ ，則輸出電壓vo為： (A)vo=4sin(1000t)V (B)vo=-4sin(1000t)V (C)vo=6sin(1000t)V (D)vo=-6sin(1000t)V 

18.運算放大器電路如圖(二)所示，若運算放大器為理想特性且 R1=R2，R3=Rf，則電壓Vo與電壓V1及V2的關係為： (A)\(V_o = \frac{R_f}{R_1}(V_2 - V_1)\)(B)\(V_o = \frac{R_f}{R_1}(V_1 - V_2)\)(C)\(V_o = -\frac{R_f}{R_1}(V_1 + V_2)\) (D)\(V_o = \frac{R_f}{R_1}(2V_1 + V_2)\)

19.運算放大電路如圖(三)所示，此電路的功能為： (A)加法器 (B)減法器C (C)積分器 (D)微分器

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