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研究所、轉學考(插大)◆電子學
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102年 - [無官方正解]102 國立嘉義大學_光電暨固態電子碩士班(甲組)招生考試試題_電子物理學系：電子學#146338
> 試題詳解
9. 同上題，電壓增益v
o
/v
s
=?
(A) -167
(B) -263
(C) -321
(D) -210
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10. 同上題，輸入電阻Rin=?(A) 0.014 KΩ (B) 0.024 KΩ (C) 0.034 KΩ (D) 0.044 KΩ
#4063278
11.在電子電路中，增益掉 3dB 代表此電路因頻率響應其輸出訊號之大小為輸入訊號大小 (A) 0.5(B) 2(C) \( \sqrt{2} \)(D) \( \frac{1}{\sqrt{2}} \)(E) 3 倍
#4063279
一電路的轉移函數為 \( T(s) = \frac{s(s+10)}{(s+100)(s+1000)} \)，則其低頻 3dB 頻率約為 (A) 0(B) 10(C) 100(D) 1000 rad/s
#4063280
13. 圖(三)為 (A)凹陷濾波器 (B)帶通濾波器 (C)低通濾波器 (D)高通濾波器
#4063281
14. 同上題，圖(三)電路之極點頻率p等於(A) 1 (B)10 (C)102 (D)103 (E) 104 rad/s
#4063282
15. BJT電晶體工作在主動區的正確偏壓為(A) EB接面逆向偏壓 CB接面順向偏壓 (B) EB接面順向偏壓 CB接面逆向偏壓 (C) EB接面順向偏壓 CB接面順向偏壓 (D) EB接面逆向偏壓 CB接面逆向偏壓
#4063283
16. NMOS電晶體當作放大器時，其工作區在(A) pinch-off region (B) cut-off region (C) triode region (D)任何一區
#4063284
17. MOSFET電晶體直流工作時哪一項參數一定等於零(A)閘極電流 (B)汲極電流 (C)源極電流 (D)三極電流皆不為零
#4063285
18. p通道場效電晶體(FET)之電荷載子為(A)電子 (B)主載子為電洞、副載子為電子 (C)主載子為電子、副載子為電洞 (D)電洞
#4063286
19. 當偏壓在順向活性區(forward active)時，基極少數載子的分布比較像哪一圖？(A)(B)(C)(D)(E)
#4063287
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