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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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104年 - 104 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電、通信:1.電路學 2.電子學#60432
> 試題詳解
9. 設平衡三相Y形電路的相電壓V
BN
為220∠-150° V,而且為正相序,求線電壓V
BC
值為何?
(A) 311.13∠-120° V
(B) 311.13∠-180° V
(C) 381.05∠-120° V
(D) 381.05∠-180° V
答案:
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統計:
A(16), B(16), C(208), D(19), E(0) #1540125
私人筆記 (共 1 筆)
松
2019/05/27
私人筆記#1485349
未解鎖
電壓x根號3,角度超前30度
(共 14 字,隱藏中)
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10. 如右圖所示電路,節點電壓Vc為何? (A) 14 V (B) 28 V (C) 56 V (D) 112 V
#1540126
11. 兩組平衡三相負載接成如右圖所示電路,其中平衡Y接負載之各個 單相阻抗Z1 = 3+j4 Ω,而平衡Δ接負載之各個單相阻抗Z2 = 9-j12 Ω ,則此兩組負載等效成一組三相Y接負載之各單相阻抗值為何? (A) 25/18 Ω (B) 25/6 Ω (C) 25/2 Ω (D) 5 Ω
#1540127
12. 如右圖所示為米勒積分器(Miller Integrator),其中R=100 kΩ、C=10 μF、V=5 V,設電容器 初始電壓為0 V,t = 0時S接通,當t = 1秒時,Vo電壓為多少? (A) —5 V (B) —2 V (C) +1 V (D) +2 V
#1540128
13. 下列有關BJT與MOSFET之比較,何者有誤? (A)相同直流偏壓電源下,BJT有較高的互導值(gm) (B)MOSFET有較大的輸入阻抗 (C)BJT比MOSFET更適合作為開關使用 (D) BJT有較大的頻寬
#1540129
14. 關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述,下列何者有誤? (A)開路狀態下空乏區的寬度會比較深入摻雜濃度低的一邊 (B)順向偏壓時,電流與電壓呈指數關係 (C)逆向偏壓時,空乏區所形成的電容變大 (D)多數載子之移動形成擴散電流
#1540130
15. 一個齊納二極體(Zener Diode)於25℃時,Vz = 6.8 V,其正溫度係數為0.05 %/℃,求 80℃時 VZ? (A) 6.855 V (B) 6.987 V (C) 6.834 V (D) 7.252 V
#1540131
16. 使用橋式整流器來實現全波整流電路,其輸入電壓為Vpeak = 100 V、60 Hz,輸出電容為 100 μF,負載為10 kΩ,假設二極體為理想二極體,試求漣波電壓 Vr,peak to peak? (A) 0.833 V (B) 0.417 V (C) 1.667 V (D) 0.967 V
#1540132
17. 對於共基極放大器,下列何者有誤? (A)不會受米勒效應(Miller Effect)的影響 (B)電流增益約為1 (C)輸入阻抗很小 (D)輸出阻抗很小
#1540133
18. 如右圖MOSFET電路,|Vt| = 1 V、μnCox = 20 μA/V2、μpCox = 10 μA/V2,若V1 = 6 V 、 V2 = 2 V,則(W/L)M ∶ (W/L )M ∶ (W/L )M 為何?(忽略通道長度調變效應) (A) 2:1:9 (B) 1:1:9 (C) 2:1:4 (D) 1:1:2
#1540134
19. 右圖使用齊納二極體(Zener Diode)製作穩壓電路,齊納二極體在20 mA 時,Vz = 12 V、 rz = 10 Ω,VS在20 V和25 V之間變動,IL在0 mA和 30 mA 之間變動,且Iz,min = 5 mA、 Iz,max = 80 mA,下列敘述何者正確? (A) R值越小,穩壓越好 (B) R最大值為245 Ω (C) R最小值為155 Ω (D)若R=160 Ω,IL最大變化可導致VO有 0.287 V之變化 S
#1540135
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